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光刻膠分類
市場(chǎng)上,光刻膠產(chǎn)品依據(jù)不同標(biāo)準(zhǔn),可以進(jìn)行分類。依照化學(xué)反應(yīng)和顯影原理分類,光刻膠可以分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。使用正性光刻膠工藝,形成的圖形與掩膜版相同;使用負(fù)性光刻膠工藝,形成的圖形與掩膜版相反。
按照感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)分類,光刻膠可以分為①光聚合型,采用烯類單體,在光作用下生成自由基,進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特點(diǎn);②光分解型,采用含有疊氮醌類化合物的材料,其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng),可以制成正性膠;③光交聯(lián)型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),而起到抗蝕作用,可以制成負(fù)性光刻膠。全球市場(chǎng)目前,光刻膠單一產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模與海外巨頭公司營收規(guī)模相比較小,光刻膠僅為大型材料廠商的子業(yè)務(wù)。
按照曝光波長(zhǎng)分類,光刻膠可分為紫外光刻膠(300~450nm)、深紫外光刻膠(160~280nm)、極紫外光刻膠(EUV,13.5nm)、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。將帶有光刻膠層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)置于去膠機(jī)內(nèi),在射頻電壓的能量的作用下,灰化氣體被解離為等離子體。不同曝光波長(zhǎng)的光刻膠,其適用的光刻極限分辨率不同,通常來說,在使用工藝方法一致的情況下,波長(zhǎng)越小,加工分辨率越佳。
光刻膠市場(chǎng)
全球光刻膠市場(chǎng)擴(kuò)增,對(duì)光刻膠的總需求不斷提升。據(jù)估計(jì),2015年國際光刻膠市場(chǎng)達(dá)73.6億美元,其中PCB光刻膠占比24.5%,LCD光刻膠占26.6%,半導(dǎo)體光刻膠占比24.1%。據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù),2015年,PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠的國際市場(chǎng)增速均在5%左右。2010年到2015年期間,國際光刻膠市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率約為5.8%;據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù),2015年,PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠的國際市場(chǎng)增速均在5%左右。在下游產(chǎn)業(yè)的帶動(dòng)下,江瀚咨詢預(yù)計(jì)國際光刻膠市場(chǎng)規(guī)模在2022年可能突破100億美元。
光刻膠京東方
事實(shí)上,我國是在缺乏經(jīng)驗(yàn)、缺乏專業(yè)技術(shù)人才,缺失關(guān)鍵上游原材料的條件下,全靠自己摸索。2,涂膠,在硅片覆蓋,旋轉(zhuǎn),離心力,在硅片表面通過旋轉(zhuǎn)的光刻膠,工藝參數(shù)3000-6000rpm膠膜厚0。近年來,盡管光刻膠研發(fā)有了一定突破,但國產(chǎn)光刻膠還是用不起來。目前,國外阻抗已達(dá)到15次方以上,而國內(nèi)企業(yè)只能做到10次方,滿足不了客戶工藝要求和產(chǎn)品升級(jí)的要求,有的工藝雖達(dá)標(biāo)了,但批次穩(wěn)定性不好。
“10次方的光刻膠經(jīng)過多次烘烤,由于達(dá)不到客戶需求的防靜電作用,不能應(yīng)用到新一代窄邊框等面板上。而國外做到15次方就有了很好的防靜電作用。這還是我們的光刻膠材料、配方、生產(chǎn)工藝方面存在問題?!崩钪袕?qiáng)說。
關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)不到要求,國內(nèi)企業(yè)始終受制于人。就拿在國際上具有一定競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力的京東方來說,目前已建立17個(gè)面板顯示生產(chǎn)基地,其中,有16個(gè)已經(jīng)投產(chǎn)。但京東方用于面板的光刻膠,仍然由國外企業(yè)提供。
PR1-2000A1NR21 20000P光刻膠廠家
4,曝光
前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機(jī)上,經(jīng)與光刻版對(duì)準(zhǔn)后,進(jìn)行曝光,接受光照的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化,形成潛影,
光源與光刻膠相匹配,也就是光源波長(zhǎng)在光刻膠的敏感波段;
對(duì)準(zhǔn):指光刻板上與襯底的對(duì)版標(biāo)記應(yīng)準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn),這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準(zhǔn)。
曝光時(shí)間,由光源強(qiáng)度,光刻膠種類,厚度等決定,
另外,為降低駐波效應(yīng)影響,可在曝光后需進(jìn)行烘焙,稱為光后烘焙(PEB)