?ASEMI品牌肖特基二極管MB10200FAC

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ASEMI品牌肖特基二極管系列MB10200FAC，電性參數(shù)為10A 200V，芯片材質(zhì)采用原裝進(jìn)口俄羅斯Mikron芯片，內(nèi)含1個(gè)95MIL的大芯片，大芯片足 10A的正向電流和0.75V的正向電壓，可承受175A浪涌電流， 漏電流為10UA，恢復(fù)時(shí)間小于等于5nS。 MBR10200FAC屬ITO-220AC全塑封封裝，有2個(gè)引腳，正極輸入，負(fù)極輸出。全塑封絕緣性能高。

ASEMI肖特基二極管MBR20100DC

ASEMI肖特基二極管MBR20100DC廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。

ASEMI肖特基二極管MBR20100DC，它的封裝：TO-263 ，電性參數(shù)：20A，100V，芯片材質(zhì)選用了SI，正向電流(Io)：10A。芯片個(gè)數(shù)：2，正向電壓(VF)：0.85V漏電流(Ir)：10UA，工作溫度：-40~170，恢復(fù)時(shí)間(Trr)：<5nS。

ASEMI肖特基二極管MBR30100FCT

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ASEMI肖特基二極管MBR30100FCT是一種低功耗、高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，具有反向恢復(fù)時(shí)間短，速度快，有效防止浪涌，減少開通瞬間的功耗等功能。其封裝為：TO-220；電性參數(shù)正向電流為30A，反向耐壓為100V；正向峰值浪涌電流為200A，反向恢復(fù)時(shí)間：＜5ns，芯片尺寸：122MIL.