氣相沉積主要分為兩大類：

化學(xué)氣相沉積(，簡稱CVD)；

物理氣相沉積(，簡稱PVD)。

，人們利用易揮發(fā)的液體TiCI稍加熱獲得TiCI氣體和NH氣體一起導(dǎo)入高溫反應(yīng)室，讓這些反應(yīng)氣體分解，再在高溫固體表面上進(jìn)行遵循熱力學(xué)原理的化學(xué)反應(yīng)，生成TiN和HCI，HCi被抽走，TiN沉積在固體表面上成硬質(zhì)固相薄膜。人們把這種通過含有構(gòu)成薄膜元素的揮發(fā)性化合物與氣態(tài)物質(zhì)，在固體表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，且生成非揮發(fā)性固態(tài)沉積物的過程，稱為化學(xué)氣相沉積(，CVD)。

在今天，討論化學(xué)氣相沉積與物理氣相沉積的不同點，恐怕只剩下用于鍍膜物料形態(tài)的區(qū)別，前者是利用易揮發(fā)性化合物或氣態(tài)物質(zhì)，而后者則利用固相(或液相)物質(zhì)。這種區(qū)分似乎已失去原來定義的內(nèi)涵實質(zhì)。

我們?nèi)匀话凑找延械牧?xí)慣，主要以上述鍍料形態(tài)的區(qū)別來區(qū)分化學(xué)氣相沉積和物理氣相沉積，把固態(tài)(液態(tài))鍍料通過高溫蒸發(fā)、濺射、電子束、等離子體、離子束、激光束、電弧等能量形式產(chǎn)生氣相原子、分子、離子(氣態(tài)，等離子態(tài))進(jìn)行輸運，在固態(tài)表面上沉積凝聚(包括與其他反應(yīng)氣相物質(zhì)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成反應(yīng)產(chǎn)物)，生成固相薄膜的過程稱為物理氣相沉積。

等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)原理是利用低溫等離子體（非平衡等離子體）作能量源，工件置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使工件升溫到預(yù)定的溫度，然后通進(jìn)適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在工件表面形成固態(tài)薄膜。它包括了化學(xué)氣相沉積的一般技術(shù)，又有輝光放電的強(qiáng)化作用。

當(dāng)考慮電子束蒸發(fā)技術(shù)時，該方法涉及純粹的物理過程，其中目標(biāo)充當(dāng)包含待沉積材料的蒸發(fā)源，該材料用作陰極。請注意，系統(tǒng)會根據(jù)電子束功率蒸發(fā)任何材料。通過在高真空下轟擊電子，在高蒸氣壓下加熱材料，并釋放出顆粒。然后，在原子尺寸釋放的粒子和氣體分子之間發(fā)生沖突，該粒子插入反應(yīng)器中，旨在通過產(chǎn)生等離子體來加速粒子。該等離子體穿過沉積室，在反應(yīng)器的中間位置更強(qiáng)。連續(xù)壓縮層被沉積，從而增加了沉積膜對基底的粘附力