蒸鍍中關(guān)鍵的兩個參數(shù)是真空度（≤10-3Pa）和相對蒸發(fā)源的基片距離（10~50cm）。蒸鍍過程中，膜層粒子與真空室中的氣體的碰撞是應(yīng)該避免的，因此，相對蒸發(fā)源的基片距離應(yīng)大于工作狀態(tài)下真空室內(nèi)氣體分子的平均自由程。

濺射鍍膜過程為：氣體放電→等離子體→帶電離子→電場作用→離子加速→高能離子→撞擊靶材→濺射→發(fā)射靶材原子→飛向基板→形成沉積→獲得薄膜。

一個真正的單層，即大面積石墨烯薄膜覆蓋在大面積銅箔上。改進了化學(xué)氣相沉積(CVD)生長方法，消除了石墨烯生長在銅箔上的所有碳雜質(zhì)。這種均勻“”的單層單晶石墨烯有望被用作超高分辨率透射電鏡成像和光學(xué)設(shè)備的超薄支撐材料。也可作為一種合適的石墨烯，以實現(xiàn)非常均勻的功能化，這將促使推動許多其他應(yīng)用，特別是用于各種類型的傳感器。

當(dāng)考慮電子束蒸發(fā)技術(shù)時，該方法涉及純粹的物理過程，其中目標(biāo)充當(dāng)包含待沉積材料的蒸發(fā)源，該材料用作陰極。請注意，系統(tǒng)會根據(jù)電子束功率蒸發(fā)任何材料。通過在高真空下轟擊電子，在高蒸氣壓下加熱材料，并釋放出顆粒。然后，在原子尺寸釋放的粒子和氣體分子之間發(fā)生沖突，該粒子插入反應(yīng)器中，旨在通過產(chǎn)生等離子體來加速粒子。該等離子體穿過沉積室，在反應(yīng)器的中間位置更強。連續(xù)壓縮層被沉積，從而增加了沉積膜對基底的粘附力