PVD是物理氣相沉積技術(shù)的簡稱，是指在真空條件下，采用物理的方法將材料（俗稱靶材或膜料）氣化成氣態(tài)分子、原子或離子，并將其沉積在工件形成具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，常見的PVD沉積技術(shù)有：蒸發(fā)技術(shù)、濺射技術(shù)、電弧技術(shù)。

目前,提高NbFeB永磁材料耐腐蝕性能的方法有添加合金元素和外加防護(hù)性鍍層,但主要以添加防護(hù)性鍍層(金屬鍍層、有機(jī)物鍍層和復(fù)合鍍層)為主。真空鍍膜設(shè)備真空熱處理是指金屬制件在真空或先抽真空后通惰性氣體條件下加熱，然后在油或氣體中淬火冷卻的技術(shù)。防護(hù)性鍍層可以阻礙腐蝕相與基體之間的相互接觸從而減緩磁體的腐蝕。添加鍍層的方法有電鍍、化學(xué)鍍、物理氣相沉積等。

隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，對材料的綜合性能要求也不斷提高，單一材料性能已不能滿足某些特定環(huán)境下工作機(jī)械的性能要求。另外,在PVD施鍍過程中,鍍層厚度受磁體工件邊角的影響遠(yuǎn)低于電鍍和化學(xué)鍍,且制備過程不存在污染問題。國內(nèi)真空離子鍍膜機(jī)經(jīng)過幾十年的發(fā)展，相對于國外鍍膜設(shè)備而言，在自動化程度與技術(shù)上取得了一定的進(jìn)步，但在鍍膜產(chǎn)品穩(wěn)定性和性方面尚需提升，設(shè)備仍依賴進(jìn)口。同時多弧離子鍍膜機(jī)低端產(chǎn)品市場存在供大于求的情況，價(jià)格競爭較為激烈。

鍍膜技術(shù)在集成電路制造中的應(yīng)用 晶體管路中的保護(hù)層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)?？梢姎庀喑练e術(shù)制備集成電路的核心技術(shù)之一。

真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。