光刻膠趨勢

半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域全球市場規(guī)模趨于穩(wěn)定， 2017年全球市場約13.5億美元；國內(nèi)市場約20.2億元，近5年復(fù)合增速達(dá)12%。受全球半導(dǎo)體市場復(fù)蘇和國內(nèi)承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，預(yù)計全球光刻膠市場將保持穩(wěn)定增速，國內(nèi)市占率穩(wěn)步抬升。

光刻膠生產(chǎn)、檢測、評價的設(shè)備價格昂貴，需要一定前期資本投入；光刻膠企業(yè)通常運營成本較高，下游廠商認(rèn)證采購時間較長，為在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競爭優(yōu)勢，需要足夠的中后期資金支持。企業(yè)持續(xù)發(fā)展也需投入較大的資金，光刻膠行業(yè)在資金上存在較高的壁壘，國外光刻膠廠商相對于國內(nèi)廠商，其公司規(guī)模更大，具有資金和技術(shù)優(yōu)勢?！?0次方的光刻膠經(jīng)過多次烘烤，由于達(dá)不到客戶需求的防靜電作用，不能應(yīng)用到新一代窄邊框等面板上。

總體上，光刻膠行業(yè)得到國家層面上的政策支持。《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，提出“研發(fā)光刻機、刻蝕機、離子注入機等關(guān)鍵設(shè)備，開發(fā)光刻膠、大尺英寸硅片等關(guān)鍵材料”；不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同，通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越小，加工分辨率越佳。國家重點支持的高新技術(shù)領(lǐng)域（2015）中提到“高分辨率光刻膠及配套化學(xué)品作為精細(xì)化學(xué)品重要組成部分，是重點發(fā)展的新材料技術(shù)”；光刻技術(shù)（包括光刻膠）是《中國制造 2025》重點領(lǐng)域。

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四、對準(zhǔn)（Alignment）

光刻對準(zhǔn)技術(shù)是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大核心技術(shù)之一，一般要求對準(zhǔn)精度為細(xì)線寬尺寸的 1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高 ，對準(zhǔn)精度要求也越來越高 ，例如針對 45am線寬尺寸 ，對準(zhǔn)精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推動 ，對準(zhǔn)技術(shù)也經(jīng)歷 迅速而多樣的發(fā)展 。從對準(zhǔn)原理上及標(biāo)記結(jié) 構(gòu)分類 ，對準(zhǔn)技術(shù)從早期的投影光刻中的幾何成像對準(zhǔn)方式 ，包括視頻圖像對準(zhǔn)、雙目顯微鏡對準(zhǔn)等，一直到后來的波帶片對準(zhǔn)方式 、干涉強度對準(zhǔn) 、激光外差干涉以及莫爾條紋對準(zhǔn)方式 。在光刻膠的生產(chǎn)上，我國主要生產(chǎn)PCB光刻膠，LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小，2015年據(jù)統(tǒng)計我國光刻膠產(chǎn)量為9。從對準(zhǔn)信號上分 ，主要包括標(biāo)記的顯微圖像對準(zhǔn) 、基于光強信息的對準(zhǔn)和基于相位信息對準(zhǔn)。

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(3)其他特性。光刻膠的其他特性包括膠的純度、膠內(nèi)的金屬含量、膠的可應(yīng)用范圍、膠的儲存有效期和膠的燃點。