芯片光刻的流程詳解（一）

在集成電路的制造過(guò)程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂?，我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能?，F(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國(guó)人Nicephore niepce在各種材料光照實(shí)驗(yàn)以后，開(kāi)始試圖復(fù)一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。3．你們是否有可以替代ShipleyS1805的用于DVD的應(yīng)用產(chǎn)品。經(jīng)過(guò)2、3小時(shí)的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過(guò)用強(qiáng)酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個(gè)d’Amboise主教的雕板相的產(chǎn)品。

Niepce的發(fā)明100多年后，即第二次大戰(zhàn)期間才應(yīng)用于制作印刷電路板，即在塑料板上制作銅線路。以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過(guò)曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管，當(dāng)時(shí)分辨率5um，如今除可見(jiàn)光光刻之外，更出現(xiàn)了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。

NR9-3000PY

四、對(duì)準(zhǔn)（Alignment）

光刻對(duì)準(zhǔn)技術(shù)是曝光前一個(gè)重要步驟作為光刻的三大核心技術(shù)之一，一般要求對(duì)準(zhǔn)精度為細(xì)線寬尺寸的 1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高 ，對(duì)準(zhǔn)精度要求也越來(lái)越高 ，例如針對(duì) 45am線寬尺寸 ，對(duì)準(zhǔn)精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推動(dòng) ，對(duì)準(zhǔn)技術(shù)也經(jīng)歷 迅速而多樣的發(fā)展 。光刻光路的設(shè)計(jì)，有利于進(jìn)一步提升數(shù)值孔徑，隨著技術(shù)的發(fā)展，數(shù)值孔徑由0。從對(duì)準(zhǔn)原理上及標(biāo)記結(jié) 構(gòu)分類 ，對(duì)準(zhǔn)技術(shù)從早期的投影光刻中的幾何成像對(duì)準(zhǔn)方式 ，包括視頻圖像對(duì)準(zhǔn)、雙目顯微鏡對(duì)準(zhǔn)等，一直到后來(lái)的波帶片對(duì)準(zhǔn)方式 、干涉強(qiáng)度對(duì)準(zhǔn) 、激光外差干涉以及莫爾條紋對(duì)準(zhǔn)方式 。從對(duì)準(zhǔn)信號(hào)上分 ，主要包括標(biāo)記的顯微圖像對(duì)準(zhǔn) 、基于光強(qiáng)信息的對(duì)準(zhǔn)和基于相位信息對(duì)準(zhǔn)。

光刻膠

光刻膠組分及功能

光引發(fā)劑

光引發(fā)劑吸收光能（輻射能）后經(jīng)激發(fā)生成活性中間體，并進(jìn)一步引發(fā)聚合反應(yīng)或其他化學(xué)反應(yīng)，是光刻膠的關(guān)鍵組分，對(duì)光刻膠的感光度、分辨率等起決定性作用。

樹(shù)脂

光刻膠的基本骨架，是其中占比較大的組分，主要決定曝光后光刻膠的基本性能，包括硬度、柔韌性、附著力、曝光前后對(duì)溶劑溶解度的變化程度、光學(xué)性能、耐老化性、耐蝕刻性、熱穩(wěn)定性等。

溶劑

溶解各組分，是后續(xù)聚合反應(yīng)的介質(zhì)，另外可調(diào)節(jié)成膜。

單體

含有可聚合官能團(tuán)的小分子，也稱之為活性稀釋劑，一般參加光固化反應(yīng)，可降低光固化體系粘度并調(diào)節(jié)光固化材料的各種性能。