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華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試1200A(可擴展至1600A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動汽車 ,風力發(fā)電,變頻器,焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風電,軌道交通,電焊機等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進行單獨測試,可實現(xiàn)的在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機里設(shè)置參數(shù)直接測試,又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試;半導體元件有許多參數(shù)都很重要,有些參數(shù)如:放大倍率,觸發(fā)參數(shù),閂扣,保持參數(shù),崩潰電壓等,是提供給工程師在設(shè)計電路時的依據(jù),在檢測元件是否有老化的現(xiàn)象時,僅須測量導通參數(shù)及漏電流二項即可。 近兩年IGBT測試儀持續(xù)火爆,新能源汽車,軌道交通,風力發(fā)電等等都需要大量的IGBT模塊,所以我們?nèi)A科智源推出了大功率IGBT測試儀,可以測試1200A,5000V以內(nèi)的IGBT模塊,基本可以涵蓋現(xiàn)階段的IGBT模塊的測試了,我們IGBT測試儀還可以在線檢測模塊的電性能參數(shù),對一些檢修,維護領(lǐng)域的工作有比較好的幫助,目前國內(nèi)我們?nèi)A科智源不光是IGBT靜態(tài)測試儀,包括動態(tài)測試儀,與的設(shè)備也可以放在一起競爭了,而且我們不怕競爭,這對我們是一種促進。
3.6 VCES 集射極截止電壓 0~5000V 集電極電流ICES: 0.01~1mA±3%±0.001mA; 1~10mA±2%±0.01mA; 10~50mA±1%±0.1mA; 集電極電壓VCES: 0-5000V±1.5%±2V; * 3.7 ICES 集射極截止電流 0.01~50mA 集電極電壓VCES: 50~500V±2%±1V; 500~5000V±1.5%±2V; 集電極電流ICES: 0.001~1mA±3%±0.001mA; 1~10mA±2%±0.01mA; 10~150mA±1%±0.1mA; * 3.8 VCE(sat) 飽和導通壓降 0.001~10V 集電極電流ICE: 0-1600A 集電極電壓VCEs: 0.001~10V±0.5%±0.001V 柵極電壓Vge: 5~40V±1%±0.01V 集電極電流ICE: 0~100A±1%±1A; 100~1600A±2%±2A; * 3.9 Iges 柵極漏電流 0.01~10μA 柵極漏電流IGEs: 0.01~10μA±2%±0.005μA 柵極電壓Vge: ±1V~40V±1%±0.1V; Vce=0V; * 3.10 VF 正向特性測試 0.1~5V 二極管導通電壓Vf: 0.1~5V±1%±0.01V 電流IF: 0~100A±2%±1A; 100~1600A±1.5%±2A;操作系統(tǒng)、備份、保存、遠程控制編輯、上傳、故障自檢報警等基本功能。
表格12動態(tài)參數(shù)測試部分組成
序號 組成部分 單位 數(shù)量
1 可調(diào)充電電源 套 1
2 直流電容器 個 8
3 動態(tài)測試負載電感 套 1
4 安全工作區(qū)測試負載電感 套 1
5 補充充電回路限流電感L 個 1
6 短路保護放電回路 套 1
7 正常放電回路 套 1
8 高壓大功率開關(guān) 個 5
9 尖峰抑制電容 個 1
10 主回路正向?qū)ňчl管 個 2
11 動態(tài)測試續(xù)流二極管 個 2
12 安全工作區(qū)測試續(xù)流二極管 個 3
13 被測器件旁路開關(guān) 個 1
14 工控機及操作系統(tǒng) 套 1
15 數(shù)據(jù)采集與處理單元 套 1
16 機柜及其面板 套 1
17 壓接夾具及其配套系統(tǒng) 套 1
18 加熱裝置 套 1
19 其他輔件 套 1
4驗收和測試 3)驗收試驗應(yīng)在-10~40℃環(huán)境溫度下進行,驗收完成后測試平臺及外部組件和裝置均應(yīng)安裝在買方的位置上。 4)測試單元發(fā)貨到買方前,賣方應(yīng)進行出廠試驗。賣方出廠試驗詳細方案應(yīng)提前提交買方評估,通過買方評估合格后實施方可視為有效試驗。否則,需按買方提出的修改意見重新制定出廠試驗方案,直至買方評估合格。三、華科智源IGBT測試儀系統(tǒng)特征: A:測量多種IGBT、MOS管 B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣。