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發(fā)布時(shí)間:2020-07-23 05:39  






硅碳棒的老化

硅碳棒在高溫下長(zhǎng)期使用,由于sic表面被氧化,致使原件中的sio2含量逐漸增多,使其電阻增大,這是正?,F(xiàn)象,稱(chēng)之為“老化”,原件在使用中,前500小時(shí)老化速度快,以后的老化速度緩慢,主要是元件表面的sio2膜減緩了sic的氧化。硅碳棒大致分為等直徑硅碳棒,粗端式硅碳棒,H型硅碳棒,U型硅碳棒,槍型硅碳棒,山型硅碳棒,門(mén)型硅碳棒以及各種異型硅碳棒。硅碳棒的老化速度取決于元件的使用溫度和表面負(fù)荷密度。

1.

硅碳棒質(zhì)地硬而脆,在搬動(dòng)時(shí)要特別小心,應(yīng)輕拿、輕放、嚴(yán)防機(jī)械敲打,以免斷棒。

2.

硅碳棒與插孔之間間隙要用耐火纖維棉填充,但不要塞得過(guò)緊,穿過(guò)爐壁兩側(cè)(或上下)的棒孔后,應(yīng)自由轉(zhuǎn)動(dòng)360,嚴(yán)防強(qiáng)制安裝和敲打,裝棒前可用與棒端直徑相同的鐵管試管試裝。


公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)電爐、不同規(guī)格的等直徑硅碳棒, 槽型棒 U型棒 槍型棒 門(mén)型棒 U型直角硅碳棒等各種異形硅碳棒,質(zhì)量穩(wěn)定,價(jià)格優(yōu)惠。

硅碳棒是用高純度綠色六方碳化硅為主要原料,按一定料比加工制坯,經(jīng)2200℃高溫硅化再結(jié)晶燒結(jié)而制成的棒狀、管狀非金屬高溫電熱元件。氧化性氣氛中正常使用溫度可達(dá)1450℃,連續(xù)使用可達(dá)2000小時(shí)。

因硅碳棒為電阻發(fā)熱元件,整個(gè)爐體只保留出氣口,沒(méi)有傳統(tǒng)意義上的煙囪,熱量不易損失,熱效率可達(dá)90%以上。

電能是一種清潔的能源,以電能為能源的電阻爐型殼焙燒爐具有溫度均勻、控溫準(zhǔn)確、熱效率高、清潔無(wú)污染等諸多優(yōu)點(diǎn)。


③ 爐內(nèi)氣氛

在燒成中硅碳棒與很多燒成物揮發(fā)出來(lái)的化學(xué)物質(zhì)之間的會(huì)發(fā)生反應(yīng),如果與水、氫、氮、硫、鹵素等氣體及熔融的鋁、堿、鹽、熔融金屬、金屬氧化物接觸的話(huà),也會(huì)發(fā)生反應(yīng)、腐蝕或氧化現(xiàn)象。

④窯爐運(yùn)行方式

硅碳棒在連續(xù)式窯爐與間歇式窯爐中,前者的壽命較長(zhǎng)。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜,長(zhǎng)時(shí)間使用使二氧化硅皮膜增加,硅碳棒阻值也隨之增加。二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點(diǎn)(270℃)附近發(fā)生異常膨脹、收縮。等直徑硅碳棒是一種新型節(jié)能電熱元件,采用特殊工藝加工方法制成,主要特點(diǎn):端部電阻小,使用溫度高,壽命長(zhǎng),比一般常品可節(jié)電10%。因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動(dòng),所以反復(fù)破二氧化硅薄膜,加速氧化。因此停電爐溫降至室溫時(shí)經(jīng)常急劇增加電阻。

⑤ 接線(xiàn)方法

如果硅碳棒阻值不同,串聯(lián)時(shí)電阻高的硅碳棒負(fù)荷較集中,易導(dǎo)致某一根硅碳棒的電阻快速增加,壽命變短。硅碳棒一般是串、并聯(lián)接線(xiàn)結(jié)合使用。建議采用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。電熱元件在長(zhǎng)期使用過(guò)程中,由于SiC表面氧化,部分變成SiO2,使其電阻有所增加。特別當(dāng)爐內(nèi)溫度超過(guò)1350℃時(shí)必須并聯(lián)。三相接線(xiàn)時(shí)建議使用開(kāi)放三角形接線(xiàn)。


硅碳棒使用方法

(1)給硅碳棒加的電流量越大,硅碳棒的表面溫度越高。建議使用盡量小的表面負(fù)荷密度(功率)。但是并聯(lián)優(yōu)越于串聯(lián),并聯(lián)可以調(diào)節(jié)負(fù)荷不平衡的因素,而多支串聯(lián)則加重了不平衡的因素,提高了工作電壓。請(qǐng)注意硅碳棒冷端記載的數(shù)值為空氣中1050℃的電流、電壓,與實(shí)際使用不一定相符。一般情況下,硅碳棒表面功率是由爐內(nèi)溫度和硅碳棒表面溫度的關(guān)系求得,建議使用硅碳棒極限密度的1/2-1/3數(shù)值的表面功率(W/ cm2)

(3)連續(xù)使用硅碳棒時(shí),希望緩速增加電壓以維持長(zhǎng)壽命。

(4)硅碳棒盡可能并聯(lián)。如果硅碳棒阻值不同,串聯(lián)時(shí)電阻高的硅碳棒負(fù)荷集中,導(dǎo)致某一個(gè)硅碳棒電阻快速增加,壽命變短


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