芯片光刻的流程詳解（一）

在集成電路的制造過程中，有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能?，F(xiàn)代刻劃技術可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。3．你們是否有可以替代ShipleyS1805的用于DVD的應用產(chǎn)品。經(jīng)過2、3小時的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過用強酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的產(chǎn)品。

Niepce的發(fā)明100多年后，即第二次大戰(zhàn)期間才應用于制作印刷電路板，即在塑料板上制作銅線路。以半導體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管，當時分辨率5um，如今除可見光光刻之外，更出現(xiàn)了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。

NR9-3000PY

四、對準（Alignment）

光刻對準技術是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大核心技術之一，一般要求對準精度為細線寬尺寸的 1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高 ，對準精度要求也越來越高 ，例如針對 45am線寬尺寸 ，對準精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推動 ，對準技術也經(jīng)歷 迅速而多樣的發(fā)展 。光刻光路的設計，有利于進一步提升數(shù)值孔徑，隨著技術的發(fā)展，數(shù)值孔徑由0。從對準原理上及標記結 構分類 ，對準技術從早期的投影光刻中的幾何成像對準方式 ，包括視頻圖像對準、雙目顯微鏡對準等，一直到后來的波帶片對準方式 、干涉強度對準 、激光外差干涉以及莫爾條紋對準方式 。從對準信號上分 ，主要包括標記的顯微圖像對準 、基于光強信息的對準和基于相位信息對準。

光刻膠

光刻膠組分及功能

光引發(fā)劑

光引發(fā)劑吸收光能（輻射能）后經(jīng)激發(fā)生成活性中間體，并進一步引發(fā)聚合反應或其他化學反應，是光刻膠的關鍵組分，對光刻膠的感光度、分辨率等起決定性作用。

樹脂

光刻膠的基本骨架，是其中占比較大的組分，主要決定曝光后光刻膠的基本性能，包括硬度、柔韌性、附著力、曝光前后對溶劑溶解度的變化程度、光學性能、耐老化性、耐蝕刻性、熱穩(wěn)定性等。

溶劑

溶解各組分，是后續(xù)聚合反應的介質(zhì)，另外可調(diào)節(jié)成膜。

單體

含有可聚合官能團的小分子，也稱之為活性稀釋劑，一般參加光固化反應，可降低光固化體系粘度并調(diào)節(jié)光固化材料的各種性能。