IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)要求

1、設(shè)備概述

該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。

2、需提供設(shè)備操作手冊(cè)、維修手冊(cè)、零部件清單、基礎(chǔ)圖、設(shè)備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機(jī)潤(rùn)滑系統(tǒng)圖、電氣接線用、計(jì)算機(jī)控制程序軟件及其他必要的技術(shù)文件，設(shè)備有通訊模塊必須提供通訊協(xié)議及其他必要的技術(shù)文件，所有資料必須準(zhǔn)備（正本、副本）各一份，電子版一份；功率元件由于經(jīng)常有大電流往復(fù)的沖擊，對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會(huì)加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。（正本、副本）技術(shù)資料，應(yīng)至少有一份采用中文，另一份技術(shù)資料可以是英文或中文。

主要參數(shù) 測(cè)試范圍 精度要求 測(cè)試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關(guān)斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時(shí)間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開通/關(guān)斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

4驗(yàn)收和測(cè)試 3)驗(yàn)收試驗(yàn)應(yīng)在-10～40℃環(huán)境溫度下進(jìn)行，驗(yàn)收完成后測(cè)試平臺(tái)及外部組件和裝置均應(yīng)安裝在買方的位置上。 4)測(cè)試單元發(fā)貨到買方前，賣方應(yīng)進(jìn)行出廠試驗(yàn)。賣方出廠試驗(yàn)詳細(xì)方案應(yīng)提前提交買方評(píng)估，通過買方評(píng)估合格后實(shí)施方可視為有效試驗(yàn)。否則，需按買方提出的修改意見重新制定出廠試驗(yàn)方案，直至買方評(píng)估合格。華科智源IGBT測(cè)試儀針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)。

7質(zhì)量保證要求 ?賣方應(yīng)通過ISO 9001質(zhì)量論證。 ?賣方所提供的元件，必須是經(jīng)過檢驗(yàn)合格的器件，否則，買方有權(quán)拒付貨款。 ?買方有權(quán)要求賣方委托第三方進(jìn)行有關(guān)參數(shù)的測(cè)試，以確保出廠測(cè)試的參數(shù)真實(shí)有效。 ?在調(diào)試期間發(fā)現(xiàn)元件有缺陷或受到損壞，應(yīng)由賣方負(fù)責(zé)免費(fèi)更換并予以賠償。 ?賣方所提供的元件，必須是經(jīng)過檢驗(yàn)合格的器件，否則，買方有權(quán)拒付貨款。賣方由于自身原因而延遲交貨時(shí)，買方有權(quán)按商務(wù)規(guī)定方法向賣方收取罰款。 ?賣方對(duì)技術(shù)規(guī)范保證數(shù)據(jù)的有效性及交貨保質(zhì)期等應(yīng)由雙方協(xié)商確定并簽署在合同中。