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MOS管（MOSFET）的發(fā)熱情況：

1.電路設(shè)計(jì)的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，9N90品質(zhì)供應(yīng)商，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的忌諱的錯(cuò)誤。

2.頻率太高，主要是有時(shí)過分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。

3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。

4.MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，10N60品質(zhì)供應(yīng)商，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。

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ASEMI低壓MOS管 A29T/ 3402 N道MOS管 30V

型號(hào)：A29T / 3402

封裝：SOT-23

漏極電流（VDS）：4A

漏源電壓（ID）：30V

工作溫度：-55℃~150℃

封裝形式：貼片

種類：場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET/MOS管）

品牌：ASEMI

晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，6N65品質(zhì)供應(yīng)商，或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。

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MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)管）的主要參數(shù)：

3. 漏源擊穿電壓BVDS

·在VGS=0(增強(qiáng)型)的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面:

(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿

(2)漏源極間的穿通擊穿

·有些MOS管中，品質(zhì)供應(yīng)商，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID

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