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MBR1060肖特基二極管,MHCHXM品牌,采用TO-220封裝塑封,電性參數(shù):10A45V;俄羅斯進(jìn)口晶圓大芯片制作,其高抗沖擊性能尤為顯著,黑膠部分采用復(fù)合材料環(huán)氧塑脂材料一次性澆鑄成型,具有良好的包封性;而引腳為99.99%無氧銅材質(zhì)組成,抗氧化、抗彎曲和高導(dǎo)電性。
“誠信”是強元芯屹立于行業(yè)之本,未來,我們?nèi)詫∈亍罢\信,專業(yè),務(wù)實”的服務(wù)理念,不斷完善 創(chuàng)新,努力為客戶和公司同仁共創(chuàng)雙嬴肖特基二極管MBR1045CT管裝:50/管;盒裝:1000PCS/盒。
UL為美國安規(guī)認(rèn)證,是世界上安全試驗和鑒定最權(quán)威機構(gòu)整流橋
代表安全檢檢產(chǎn)品運作良率是世界上安全試驗和鑒定最權(quán)威機構(gòu)
激光打標(biāo),解決油墨絲印易掉色問題,黑膠材質(zhì)是采用進(jìn)口環(huán)氧塑脂材料
我司承諾,在收到產(chǎn)品30天內(nèi),只要在不上機,不損壞外包裝的情況下,可憑銷售清單申請退、換貨。
公司擁有一支高素質(zhì)的專業(yè)人才團隊,其中電子、機械、工程管理各類專業(yè)工程師及高級管理人才37人,他們將自己研發(fā)的20多項專利應(yīng)用于整流橋和肖特基二極管。
編輯:DD
電子從半導(dǎo)體向金屬擴散運動的結(jié)果,形成空間電荷區(qū)、自建電場和勢壘,并且耗盡層只在N型半導(dǎo)體一邊(勢壘區(qū)全部落在半導(dǎo)體一側(cè))。勢壘區(qū)中自建電場方向由N型區(qū)指向金屬,隨熱電子發(fā)射自建場增加,與擴散電流方向相反的漂移電流增大,最終達(dá)到動態(tài)平衡,在金屬與半導(dǎo)體之間形成一個接觸勢壘,這就是肖特基勢壘。
由于SBD的反向勢壘較薄,并且在其表面極易發(fā)生擊穿,所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿,反向漏電流比PN結(jié)二極管。
SBD的結(jié)構(gòu)及特點使其適合于在低壓、DA電流輸出場合用作高頻整流,在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻,在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流,在高速計算機中被廣泛采用。
ASEMI肖特基二極管和普通快恢復(fù)二極管的區(qū)別?
肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管,而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管。 肖特基整流管僅用一種載流子(電子)輸送電荷,在勢壘外側(cè)無過剩少數(shù)載流子的積累,因此,不存在電荷儲存問題(Qrr→0),使開關(guān)特性獲得時顯改善。