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發(fā)布時(shí)間:2020-12-30 13:23  






?數(shù)字IC是什么?

數(shù)字IC就是傳遞、加工、處理數(shù)字信號(hào)的IC,是近年來應(yīng)用廣、發(fā)展快的IC品種,可分為通用數(shù)字IC和專用數(shù)字IC。

模擬IC則是處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號(hào)的IC,模擬IC按應(yīng)用來分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬IC。如果按技術(shù)來分的話,模擬IC可分為只處理模擬信號(hào)的線性IC和同時(shí)處理模擬與數(shù)字信號(hào)的混合IC。

標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器,電壓調(diào)節(jié)與參考對(duì)比,信號(hào)界面,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,比較器等產(chǎn)品;特殊應(yīng)用型模擬IC主要應(yīng)用在通信、汽車、電腦周邊和消費(fèi)類電子等四個(gè)領(lǐng)域。





簡單總結(jié)一下二者的區(qū)別:數(shù)字電路IC就是處理數(shù)字信號(hào)的器件,比如CPU、邏輯電路等;因?yàn)槟MIC通常要輸出高電壓或者大電流來驅(qū)動(dòng)其他元件,而CMOS工藝的驅(qū)動(dòng)能力很差。而模擬電路IC是處理和提供模擬信號(hào)的器件,比如運(yùn)算放大器、線性穩(wěn)壓器、基準(zhǔn)電壓源等,它們都屬于模擬IC。模擬IC處理的信號(hào)都具有連續(xù)性,可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究,而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號(hào),都是脈沖方波。

不同數(shù)字器件有不同的制程, 所以需要不同的供電電壓, 因此更需要電源管理這一模擬技術(shù),隨著數(shù)字技術(shù)的發(fā)展, 模擬技術(shù)分布于數(shù)字技術(shù)周邊, 與數(shù)字技術(shù)密不可分。


IC產(chǎn)品的溫馨提示

提示:濕度總是困擾在電子系統(tǒng)背后的一個(gè)難題。不管是在空氣流通的熱帶區(qū)域中,還是在潮濕的區(qū)域中運(yùn)輸,潮濕都是顯著增加電子工業(yè)開支的原因。由于潮濕敏感性元件使用的增加,諸如薄的密間距元件(fine-pitch device)和球柵陣列(BGA, ballgrid array)使得對(duì)這個(gè)失效機(jī)制的關(guān)注也增加了。Filler的插入(padfliier,cellfiller)?;诖嗽?,電子制造商們必須為預(yù)防潛在災(zāi)難支付高昂的開支。

吸收到內(nèi)部的潮氣是半導(dǎo)體封裝問題。當(dāng)其固定到PCB 板上時(shí),回流焊快速加熱將在內(nèi)部形成壓力。這種高速膨脹,取決于不同封裝結(jié)構(gòu)材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)速率不同,可能產(chǎn)生封裝所不能承受的壓力。1、十進(jìn)制十進(jìn)制的每一位由0~9十個(gè)數(shù)碼表示,低位和相鄰高位之間的關(guān)系是“逢十進(jìn)一”。當(dāng)元件暴露在回流焊接期間升高的溫度環(huán)境下,陷于塑料的表面貼裝元內(nèi)部的潮濕會(huì)產(chǎn)生足夠的蒸汽壓力損傷或毀壞元件。




常見的失效模式包括塑料從芯片或引腳框上的內(nèi)部分離(脫層)、金線焊接損傷、芯片損傷、和不會(huì)延伸到元件表面的內(nèi)部裂紋等。在一些極端的情況中,裂紋會(huì)延伸到元件的表面;嚴(yán)重的情況就是元件鼓脹和爆裂(叫做“爆米花”效益)。盡管現(xiàn)在,進(jìn)行回流焊操作時(shí),在180℃ ~200℃時(shí)少量的濕度是可以接受的。然而,在230℃ ~260℃的范圍中的無鉛工藝?yán)?,任何濕度的存在都能夠形成足夠?qū)е缕茐姆庋b的?。ū谆睿┗虿牧戏謱?。在做產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)我們往往會(huì)遇到三個(gè)問題,驗(yàn)證什么,如何去驗(yàn)證,哪里去驗(yàn)證,這就是what,how,where的問題了。

必須進(jìn)行明智的封裝材料選擇、仔細(xì)控制的組裝環(huán)境和在運(yùn)輸中采用密封包裝及放置干燥劑等措施。實(shí)際上國外經(jīng)常使用裝備有射頻標(biāo)簽的濕度跟蹤系統(tǒng)、局部控制單元和專用軟件來顯示封裝、測試流水線、運(yùn)輸/操作及組裝操作中的濕度控制。此外由于工藝技術(shù)的限制,模擬電路設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量少用或不用電阻和電容,特別是高阻值電阻和大容量電容,只有這樣才能提高集成度和降低成本。②THB: 加速式溫濕度及偏壓測試(Temperature Humidity Bias Test )

目的: 評(píng)估IC產(chǎn)品在高溫,高濕,偏壓條件下對(duì)濕氣的抵抗能力,加速其失效進(jìn)程測試條件: 85℃,85%RH, 1.1 VCC, Static bias


IC?耐久性測試

耐久性測試項(xiàng)目(Endurance test items )Endurance cycling test, Data retention test①周期耐久性測試(Endurance Cycling Test )

目的: 評(píng)估非揮發(fā)性memory器件在多次讀寫算后的持久性能

Test Method: 將數(shù)據(jù)寫入memory的存儲(chǔ)單元,在擦除數(shù)據(jù),重復(fù)這個(gè)過程多次

測試條件: 室溫,或者更高,每個(gè)數(shù)據(jù)的讀寫次數(shù)達(dá)到100k~1000k

具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn)

MIT-STD-883E Method 1033




②數(shù)據(jù)保持力測試(Data Retention Test)

目的: 在重復(fù)讀寫之后加速非揮發(fā)性memory器件存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電荷損失

測試條件: 在高溫條件下將數(shù)據(jù)寫入memory 存儲(chǔ)單元后,多次讀取驗(yàn)證單元中的數(shù)據(jù)

失效機(jī)制:150℃

具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn):

MIT-STD-883E Method 1008.2

在了解上述的IC測試方法之后,IC的設(shè)計(jì)制造商就需要根據(jù)不用IC產(chǎn)品的性能,用途以及需要測試的目的,選擇合適的測試方法,的降低IC測試的時(shí)間和成本,從而有效控制IC產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠度。


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