感應耦合等離子體刻蝕機的結(jié)構(gòu)二

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刻蝕腔體刻蝕腔體是ICP 刻蝕設備的核心結(jié)構(gòu)，它對刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響。刻蝕腔的主要組成有：上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統(tǒng)、控溫系統(tǒng)等組成。

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感應耦合等離子體刻蝕機的結(jié)構(gòu)四

真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)有兩套，分別用于預真空室和刻蝕腔體。預真空室由機械泵單獨抽真空，只有在預真空室真空度達到設定值時，才能打開隔離門，進行傳送片?？涛g腔體的真空由機械泵和分子泵共同提供，刻蝕腔體反應生成的氣體也由真空系統(tǒng)排空。

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感應耦合等離子體刻蝕機的原理

感應耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì)，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。

如果需要進行刻蝕，和蝕刻后，除污，清除浮渣，表面處理，等離子體聚合，等離子體灰化，或任何其他的蝕刻應用，我們能夠制造客戶完全信任的等離子處理系統(tǒng)，以滿足客戶的需要。我們既有常規(guī)的等離子體蝕刻系統(tǒng)，也有反應性離子蝕刻系統(tǒng)，我們可以制造系列的產(chǎn)品，也可以為客戶定制特殊的系統(tǒng)。我們可以提供快速/高品質(zhì)的蝕刻，減輕等離子傷害，并提供的均勻性。

等離子體處理可應用于所有的基材，甚至復雜的幾何構(gòu)形都可以進行等離子體活化、等離子體清洗，等離子體鍍膜也毫無問題。等離子體處理時的熱負荷及機械負荷都很低，因此，低壓等離子體也能處理敏感性材料。

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等離子刻蝕工藝

高密度等離子體源在刻蝕工藝上具有許多優(yōu)勢，例如，可以更準確地控制工作尺寸，刻蝕速率更高，更好的材料選擇性。高密度等離子體源可以在低壓下工作，從而減弱鞘層振蕩現(xiàn)象。使用高密度等離子體源刻蝕晶片時，為了使能量和離子通量彼此獨立，需要采用獨立射頻源對晶圓施加偏壓。因為典型的離子能量在幾個電子伏特量級，在離子進入負鞘層后，其能量經(jīng)加速將達到上百電子伏特，并具有高度指向性，從而賦予離子刻蝕的各向異性。

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