同方迪一瓷介電容濾波的原理 

如下圖所顯示為電容濾波電源電路，濾波電容容積大，因而一般選用電解法電容，在接線時要留意電解法電容的正、負(fù)級。電容濾波電源電路利用電容的充、充放電功效，使輸出電壓趨向光滑。

濾波基本原理

當(dāng)u2為正自感電動勢而且標(biāo)值超過電容兩直流電壓uC時，二極管D1和D3管導(dǎo)通，D2和D4管截至，電流量一路流過輸入電阻RL，另一路對電容C電池充電。

當(dāng)uC>u2，導(dǎo)致D1和D3管反向偏置而截止，電容通過負(fù)載電阻RL放電，uC按指數(shù)規(guī)律緩慢下降。

高壓電容器符號代表你知道多少？

高壓電容器一般有BAM,BFM,BWF,BFF等系列，我們一般常見的是BAM系列。那么，在這么多系列中，這些英文字母代表了什么意思您知道嗎？下面同方迪一給您簡單的介紹一下。

首字母為系列代號，B表示的是并聯(lián)電容器。

第二個字母為高壓電容器中液體介質(zhì)的代號，F(xiàn)表示的是二芳基乙，A表示的是芐基甲笨。使用芐基甲笨的高壓電容會比較適合寒冷的區(qū)域。

第三個字母M為固體介質(zhì)的代號，表示的是全膜介質(zhì)。

同方迪一講述瓷片電容技術(shù)參數(shù)的發(fā)展歷程

1900年意大利L.隆巴迪發(fā)明陶瓷介質(zhì)電容 ；

30年代末人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數(shù)成倍增長，因而制造出較便宜的瓷介質(zhì)電容 ；

1940年前后人們發(fā)現(xiàn)了現(xiàn)在的瓷片電容技術(shù)參數(shù) 的主要原材料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性后，開始將瓷片電容技術(shù)參數(shù)使用于對既小型、精度要求又極高的軍事用電子設(shè)備當(dāng)中。

1960年左右陶瓷疊片電容 作為商品開始開發(fā)。

1970年，隨著混合IC、計(jì)算機(jī)、以及便攜電子設(shè)備的進(jìn)步也隨之迅速的發(fā)展起來，瓷片電容成為電子設(shè)備中不可缺少的零部件，而其中技術(shù)參數(shù)也是學(xué)者們研究的重點(diǎn)。

現(xiàn)在的陶瓷介質(zhì)電容的全部數(shù)量約占電容 市場的70%左右。

高壓陶瓷電容器的適用頻率

高壓陶瓷電容器的容量和散逸因素會因頻率的不同而不同，在某頻率下的C與DF變化很大，以致超出我們的規(guī)格值，則該電容器就不適于在這頻率來使用。

頻率對電容量的影響：

我們知道：容量系是由分極而來，分極需要時間，設(shè)若電容器的分極時間需要很長，但用于一高頻電路中，頻率變化的速度比極化時間來得快，則尚未等到電容器極化，極性又發(fā)生變化。后介質(zhì)的分極作用窮于應(yīng)付，而發(fā)生電容器無法達(dá)到預(yù)定容量而產(chǎn)生不良。

頻率對散逸因素的影響：

我們知道：散逸因素是由于等效串聯(lián)電阻所形成。

其中：f為頻率。

因此，發(fā)熱量是受頻率直接影響的，即若 大，則發(fā)熱量大；發(fā)熱量大，則以將造成等效串聯(lián)電阻的增加，也就使DF增大。這就是DF為何會隨頻率的增加而增大的原因，若此陶瓷電容器的發(fā)熱量比散熱量大，則終必造成不好的循環(huán)，而破壞陶瓷電容器。