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萊蕪肖特基二極管的作用多重優(yōu)惠「強(qiáng)元芯電子」

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發(fā)布時(shí)間:2021-04-15 15:13  








ASEMI肖特基二極管BD20100CS

編輯:LX

ASEMI肖特基二極管BD20100CS,電性參數(shù)為:20A 100V,封裝為T(mén)O-252廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路,作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。產(chǎn)品外觀黑膠部分,采用進(jìn)口環(huán)氧塑脂材質(zhì),使其擁有很好的包封和阻燃性能;所用的框架和引腳采用無(wú)縫焊接技術(shù)鍛造而成,材質(zhì)選用高純度無(wú)氧銅,具有抗彎曲,減少氧化和高導(dǎo)電性能;型號(hào)打碼采用的是鐳射激光打標(biāo),不易褪色,




?MBR10200FCT肖特基二極管臺(tái)灣ASEMI品牌

MBR10200FCT肖特基二極管臺(tái)灣ASEMI品牌,本產(chǎn)品采用俄羅斯進(jìn)口Mikron芯片,電性參數(shù)為10A200V,內(nèi)含芯片個(gè)數(shù)有2個(gè),芯片尺寸達(dá)86MIL,工作溫度為-40℃-170℃。有3條引腳,兩邊腳輸入,中間腳輸出。ASEMI肖特基二極管全部進(jìn)口先進(jìn)技術(shù)的芯片材料,從根本上保證產(chǎn)品的性能,內(nèi)置芯片全部是耐高抗沖擊的技術(shù)要求,確保開(kāi)機(jī)瞬間的大電流與電路電壓疊加等因素影響時(shí)依然能正常工作。




?臺(tái)灣ASEMI品牌低壓降肖特基二極管SB30100LFCT

臺(tái)灣ASEMI品牌低壓降肖特基二極管SB30100LFCT,其電性參數(shù)為30A,100V,封裝為:ITO-220AB封裝,芯片采用2個(gè)94MIL的俄羅斯進(jìn)口Mikron芯片,產(chǎn)品本體采用的是鐳射印字,不易退色;黑膠部分材質(zhì)為進(jìn)口環(huán)氧塑脂材料,包封穩(wěn)定性強(qiáng),其引腳采用的是進(jìn)口的無(wú)氧銅材料,抗彎曲性強(qiáng)、高導(dǎo)電性好。



ASEMI肖特基MBR60200PT

編輯:LX

ASEMI肖特基MBR60200PT的外觀,本節(jié)我們以它為列,通過(guò)講解其各項(xiàng)參數(shù),會(huì)讓你對(duì)整個(gè)肖特基產(chǎn)品系列有一個(gè)更深入的了解,為了更直觀方便的說(shuō)明,我們以MBR60200PT的規(guī)格書(shū)為模板進(jìn)行解說(shuō):


下圖截取的就是肖特基MBR60200PT參數(shù)頁(yè)面文檔,我們會(huì)自上而下逐條講解每個(gè)參數(shù)所代表的意義及作用

Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage ——反向重復(fù)峰值電壓

Average Rectified Forward Current ——平均整流正向電流

Typical Thermal Resistance (per leg)——典型熱阻(每條腿)


Forward Peak Surge Current ——正向峰值浪涌電流

Peak Repetitive Reverse Surge Current ——峰值反向重復(fù)浪涌電流

Maximum Rate of Voltage Change (at Rated VR)——電壓變化率(額定VR)

Operating Junction Temperature—— 工作溫度

Storage Temperature ——儲(chǔ)存溫度




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