（1）化學氣相沉積（CVD）反應溫度一般在900~1200℃，中溫CVD例如MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積），反應溫度在500~800℃。若通過氣相反應的能量，還可把反應溫度降低。

（2）常壓化學氣相沉積（NPCVD）或大氣壓下化學氣相沉積（APCVD）是在0.01—0.1MPa壓力下進行，低壓化學氣相沉積（LPCVD）則在10-4 MPa下進行。CVD或輝光放電CVD，是低壓CVD的一種形式，其優(yōu)點是可以在較低的基材溫度下獲得所希望的膜層性能。

磁控濺射：在真空環(huán)境下，通過電壓和磁場的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對靶材進行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出并沉積在基件上形成薄膜。根據(jù)使用的電離電源的不同，導體和非導體材料均可作為靶材被濺射。

離子束DLC：碳氫氣體在離子源中被離化成等離子體，在電磁場的共同作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量通過調整加在等離子體上的電壓來控制。碳氫離子束被引到基片上，沉積速度與離子電流密度成正比。星弧涂層的離子束源采用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結合力很好；離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術的主要優(yōu)點在于可沉積超薄及多層結構，工藝控制精度可達幾個埃，并可將工藝過程中的顆料污染所帶來的缺陷降至。

等離子體化學氣相沉積技術原理是利用低溫等離子體（非平衡等離子體）作能量源，工件置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使工件升溫到預定的溫度，然后通進適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在工件表面形成固態(tài)薄膜。它包括了化學氣相沉積的一般技術，又有輝光放電的強化作用。