微弧氧化電解液組成及工藝條件

　     微弧氧化電解液組成：K2SiO3 5～10g/L，Na2O2 4～6g/L，NaF 0.5～1g/L，CH3COONa 2～3g/L，Na3VO3 1～3g/L；2、工藝簡單，特別對于工業(yè)樣品的預(yù)處理不像陽極氧化要求的那樣嚴(yán)格和繁雜，只要求樣品表面去污去油，不需要去除表面的自然氧化層，也不需要表面打磨。溶液pH為11～13；溫度為20～50℃；陰極材料為不銹鋼板；電解方式為先將電壓迅速上升至300V，并保持5～10s，然后將陽極氧化電壓上升至450V，電解5～10min。

       兩步電解法，靠前步：將鋁基工件在200g/L的鉀水玻璃水溶液中以1A/dm2的陽極電流氧化5min；第二步：將經(jīng)靠前步微弧氧化后的鋁基工件水洗后在70g/L的Na3P2O7水溶液中以1A/dm2的陽極電流氧化15min。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線2、微弧氧化技術(shù)絕緣性好耐熱性高，可承受高溫使用，范圍根據(jù)基材熔點(diǎn)溫度有良好的絕緣性能，絕緣電阻膜阻>。陰極材料為：不銹鋼板；溶液溫度為20～度為20～50℃微弧氧化電源、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線

微弧氧化技術(shù)

       為提高鋁材料的表面性能，常用的方法有電鍍，激光，陽極氧化等，其中微弧氧化技術(shù)是基于陽極氧化發(fā)展起來的一種先進(jìn)的表面強(qiáng)化處理技術(shù)。微弧氧化是把工件放入溶液中施加高電壓進(jìn)行氧化。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化設(shè)備、微弧氧化技術(shù)原理、微弧氧化工藝。隨著電壓的遞增，逐步進(jìn)入火花放電階段，并通過瞬時(shí)高溫?zé)Y(jié)作用使氧化膜結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，生成陶瓷膜層。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化工藝

微弧氧化

       微弧氧化，是在電解質(zhì)溶液中（一般是弱堿性溶液）施加高電壓（直流、交流或脈沖）在材料表面原位生長陶瓷氧化膜的過程，該過程是物理放電與電化學(xué)氧化、等離子體氧化協(xié)同作用的結(jié)果。微弧氧化技術(shù)是在普通陽極氧化技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，進(jìn)一步提高電壓，使電壓超出法拉第區(qū)，達(dá)到氧化膜的擊穿電壓，就會(huì)在陽極出現(xiàn)火花放電現(xiàn)象，在材料表面形成陶瓷氧化膜，使等離子體氧化膜既有陶瓷膜的，又保持了陽極氧化膜與基體的結(jié)合力。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化設(shè)備、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源的好處、微弧氧化廠家。