正負(fù)光刻膠

正負(fù)光刻膠

光刻膠分負(fù)性膠和正性膠兩類(lèi)。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠；反之，對(duì)某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

一般來(lái)說(shuō)線寬的用正膠,線窄的用負(fù)膠! 正性光刻膠比負(fù)性的精度要高，負(fù)膠顯影后圖形有漲縮，負(fù)性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導(dǎo)致影響精度，正性膠則無(wú)這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負(fù)性膠的分辨率，但是薄負(fù)性膠會(huì)影響孔。在下游產(chǎn)業(yè)的帶動(dòng)下，江瀚咨詢(xún)預(yù)計(jì)國(guó)際光刻膠市場(chǎng)規(guī)模在2022年可能突破100億美元。同種厚度的正負(fù)膠，在對(duì)于抗?jié)穹ê透g性方面負(fù)膠更勝一籌，正膠難以企及。賽米萊德提供美國(guó)Futurrex的光刻膠的供應(yīng)與技術(shù)參數(shù)。

NR9-3000PYNR94 8000PY光刻膠公司

三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）

光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。曝光方法：a、接觸式曝光（ContactPrinting）掩膜板直接與光刻膠層接觸。作為光刻工藝自身的首先過(guò)程，一薄層的對(duì)紫外光敏感的有機(jī)高分子化合物，即通常所說(shuō)的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機(jī)中的樣品表面，(由真空負(fù)壓將樣品固定在樣品臺(tái)上)，樣品然后高速旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，膠在離心力的作用下向邊緣流動(dòng)。

涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復(fù)性和接下去的顯影時(shí)間，同一個(gè)樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應(yīng)超過(guò)±5nm(對(duì)于1.5um膠厚為±0.3%)。

光刻膠的目標(biāo)厚度的確定主要考慮膠自身的化學(xué)特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細(xì)程度。太厚膠會(huì)導(dǎo)致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。7億元，同比增長(zhǎng)11%，高于國(guó)際市場(chǎng)增速，但全球占比仍不足15%，發(fā)展空間巨大。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對(duì)于特殊微結(jié)構(gòu)制造，膠厚度有時(shí)希望1cm量級(jí)。在后者，旋轉(zhuǎn)涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等，這些因素的穩(wěn)定性很重要。

在工藝發(fā)展的早期，負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現(xiàn)，負(fù)膠已不能滿足要求。隨后出現(xiàn)了正膠，但正膠的缺點(diǎn)是粘結(jié)能力差。

用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡(jiǎn)單的圖形翻轉(zhuǎn)。12萬(wàn)噸，依照需求量及產(chǎn)量增速預(yù)計(jì)，未來(lái)仍將保持供不應(yīng)求的局面。因?yàn)橛醚谀ぐ婧蛢煞N不同光刻膠結(jié)合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周?chē)难苌湫?yīng)，使得用負(fù)膠和亮場(chǎng)掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場(chǎng)掩膜版組合會(huì)使光刻膠層上的圖形尺寸變大。

PC6-16000

NR9-3000PY 相對(duì)于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢(shì)：

- 優(yōu)異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過(guò)調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲(chǔ)存保質(zhì)期長(zhǎng)達(dá)3 年

NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR9-6000PY 5.0μm -

12.2μm  

Resist Thickness

NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR71-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR71-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR71-6000PY 5.0μm - 12.2μm

發(fā)展

Futurrex在開(kāi)發(fā)產(chǎn)品方面已經(jīng)有很長(zhǎng)的歷史

我們的客戶一直在同我們共同合作，創(chuàng)造出了很多強(qiáng)勢(shì)的產(chǎn)品。

在晶體管(transistor) ，封裝，微機(jī)電。顯示器，OLEDs，波導(dǎo)(waveguides) ，VCSELS，

成像，電鍍，納米碳管，微流體，芯片倒裝等方面。我們都已經(jīng)取得一系列的技術(shù)突破。

目前Futurrex有數(shù)百個(gè)技術(shù)在美國(guó)商標(biāo)局備案。

Futurrex 產(chǎn)品目錄

正性光刻膠

增強(qiáng)粘附性正性光刻膠

負(fù)性光刻膠

增強(qiáng)粘附性負(fù)性光刻膠

先進(jìn)工藝負(fù)性光刻膠

用于lift-off工藝的負(fù)性光刻膠

非光刻涂層

平坦化，保護(hù)、粘接涂層

氧化硅旋涂(spin-on glas)

摻雜層旋涂

輔助化學(xué)品

邊膠清洗液

顯影液

去膠液

Futurrex所有光刻產(chǎn)品均無(wú)需加增粘劑(HMDS)