.真空蒸鍍

真空蒸鍍是真空條件下在1.33x10-3至1.33x10-4Pa的壓力下，用電子束等熱源加熱沉積材料使之蒸發(fā)，蒸發(fā)的原子或分子直接在注塑加工件表面形成沉積層。但對(duì)于難熔的金屬碳化物和氮化物進(jìn)行直接蒸發(fā)是有困難的，并且有使化合物分解的傾向。為此，開(kāi)發(fā)了引入化學(xué)過(guò)程的反應(yīng)蒸鍍，例如，用電子槍蒸發(fā)鈦金屬，并將少量和等反應(yīng)氣體導(dǎo)入蒸發(fā)空間，使鈦原子和反應(yīng)氣體原子在工件表面進(jìn)行反應(yīng)，沉積TiC涂層。

真空蒸鍍多用于透鏡和反射鏡等光學(xué)元件、各種電子元件、塑料注塑加工制品等的表面鍍膜，在表面硬化方面的應(yīng)用不太多。

離化PVD技術(shù)通過(guò)將成膜材料高度電離化形成膜材料離子，從而增加膜材料離子的沉積動(dòng)能，并使之在高化學(xué)活性狀態(tài)下沉積薄膜的技術(shù)，包括離子鍍、離子束沉積和離子束輔助沉積三類。

離化PVD過(guò)程大多是蒸發(fā)/濺射（氣相物質(zhì)激發(fā)）與等離子體離化過(guò)程（賦能、）的交叉結(jié)合。

蒸發(fā)鍍膜是依靠源材料的晶格振動(dòng)能克服逸出功，從而形成沉積粒子的熱發(fā)射，即：外加能量（電阻/電子束/激光/電弧/射頻）賦予材料較高的晶格振動(dòng)能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而濺射是依靠高能離子輸入動(dòng)能，借助源材料中粒子間的彈性碰撞，致使更高動(dòng)能粒子逸出。離化PVD 是以其它手段激發(fā)沉積物質(zhì)粒子，然后使之與高度電離的等離子體交互作用（類似 PECVD），促使沉積粒子離化，使之既可被電場(chǎng)加速而獲得更高動(dòng)能，同時(shí)在低溫狀態(tài)下具有高化學(xué)活性。

化學(xué)氣相沉積工藝是這樣一種沉積工藝，被沉積物體和沉積元素（單元或多元）蒸發(fā)化合物置于反應(yīng)室，當(dāng)高溫氣流進(jìn)入反應(yīng)室時(shí)，可控制的反應(yīng)室可使其發(fā)生一種合適的化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致被沉積物體的表面形成一種膜層，同時(shí)將反應(yīng)產(chǎn)物及多余物從反應(yīng)室蒸發(fā)排除。

化學(xué)氣相沉積（簡(jiǎn)稱CVD），也即化學(xué)氣相鍍或熱化學(xué)鍍或熱解鍍或燃?xì)忮?，屬于一種薄膜技術(shù)。常見(jiàn)的化學(xué)氣相沉積工藝包括常壓化學(xué)氣相沉積（NPCVD），低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD），大氣壓下化學(xué)氣相沉積（APCVD）。