所謂納米技術(shù)，是指在0.1~100納米的尺度里，研究電子、原子和分子內(nèi)的運(yùn)動(dòng)規(guī)律和特性的一項(xiàng)嶄新技術(shù)。減反射鍍膜意義重大,大幅提升用戶體驗(yàn):現(xiàn)階段幾乎所有手機(jī)、平板電腦屏幕在陽光下的可視效果都非常差,主要是表面蓋板玻璃(主要成分為SiO2和Al2O3)折射率較高,超過1?？茖W(xué)家們在研究物質(zhì)構(gòu)成的過程中，發(fā)現(xiàn)在納米尺度下隔離出來的幾個(gè)、幾十個(gè)可數(shù)原子或分子，顯著地表現(xiàn)出許多新的特性，而利用這些特性制造具有特定功能設(shè)備的技術(shù)，就稱為納米技術(shù)。

納米鍍膜技術(shù)及研發(fā)使用配方, 能在金、銀、鎢、鈷、鈀等不同表面形成2-10nm厚度左右的鍍層，從而使金屬表面具有良好的耐磨性、導(dǎo)電性能、耐腐蝕、耐高溫、防氧化及改變表面張力等特性，從而提升材料性能，可以的改善產(chǎn)品品質(zhì)。

但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實(shí)現(xiàn)10A甚至1A的表面平整，是現(xiàn)在真空鍍膜中主要的技術(shù)含量與技術(shù)瓶頸所在，具體控制因素下面會(huì)根據(jù)不同鍍膜給出詳細(xì)解釋。

2.化學(xué)組分上的均勻性：

就是說在薄膜中，化合物的原子組分會(huì)由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學(xué)，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。

3.晶格有序度的均勻性：

這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問題，具體見下。

濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因?yàn)槭敲}沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較一般。派瑞林涂層材料，能夠?qū)?nèi)部PCBA進(jìn)行有效的防水防潮防腐蝕，將PCBA線路板進(jìn)行簡單的浸泡，即可在潔面儀電路板表面形成一層超薄防護(hù)膜，有效的防止水氣、鹽霧、有害氣體、腐蝕性液體等物質(zhì)對電路板電子元器件和損害。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時(shí)間。對于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實(shí)驗(yàn)確定，是各不相同的，鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實(shí)驗(yàn)研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的一體式鍍膜機(jī)主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

微電子集成電路Parylene的真空氣相沉積工藝不僅和微電子集成電路制作工藝相似，而且所制備的Parylene涂層介電常數(shù)也低，還能用微電子加工工藝進(jìn)行刻蝕制圖，進(jìn)行再金屬化，因此Parylene不僅可用作防護(hù)材料，而且也能作為結(jié)構(gòu)層中的介電材料和掩膜材料使用，經(jīng)Parylene涂敷過的集成電路芯片，其25um細(xì)直徑連接線，連接強(qiáng)度可提高5-10倍。真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成與加工的新技術(shù)，表面工程技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。