鍍膜制造需要部分耗材1.SIO2顆?；颦h(huán)狀(∮300*∮230*T7.5mm,)需要根據(jù)機(jī)臺(tái)配置選用。2.TIO2顆粒。3.晶振片F(xiàn)iltex 6MHZ或INFICON6MHZ。4.監(jiān)控片BK7 Φ142*80*1.8mm,需要根據(jù)機(jī)臺(tái)配置選用。5.銅坩堝,需要根據(jù)機(jī)臺(tái)配置選用。6.鋁箔厚度0.05mm*寬610mm。7.電子槍燈絲,需要根據(jù)機(jī)臺(tái)配置選用。*聚合生長的成膜方式阻止了離子在涂層和基板界面的擴(kuò)散，消除了常見的涂層下枝狀腐蝕。8.離子源,需要根據(jù)機(jī)臺(tái)配置選用耗材。

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)。物理氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)，或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程。真空鍍中對底涂層的要求：①對鍍件與鍍膜層有良好的接觸性能與較高的結(jié)合力，熱膨脹系數(shù)相差小，不起反應(yīng)，流平性能好。

Parylene在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的優(yōu)點(diǎn):

惡劣環(huán)境下線路板保護(hù)涂層，列入美軍標(biāo)MIL-I-46058C；滿足IPC-CC-830B

涂敷過程中不存在任何液態(tài)，無普通液體防護(hù)涂層的難以避免的流掛，氣孔、厚薄不均等嚴(yán)重缺陷；

*水分子透過率極低，僅為常見的有機(jī)硅樹脂的千分之一；

*聚合生長的成膜方式阻止了離子在涂層和基板界面的擴(kuò)散，消除了常見的涂層下枝狀腐蝕。

*表面憎水特性進(jìn)一步降低潮濕和離子污染的不利影響；

*滲入芯片與基板間的微細(xì)間隙（甚至達(dá)10μm），提供完整的保護(hù)；

*大幅增強(qiáng)芯片-基板間導(dǎo)線（25μm粗細(xì)）的連接強(qiáng)度；