常見真空腔體技術(shù)性能

材質(zhì)：不銹鋼、鋁合金等

腔體適用溫度范圍：-190℃~ 1500℃(水冷)

密封方式：氟膠O型圈或金屬無氧銅圈

出廠檢測事項：

1、真空漏率檢測1.3*10-10mbar*l/s

2、水冷水壓檢測：8公斤24小時無泄漏檢測.

內(nèi)外表面處理：拉絲拋光處理、噴砂電解處理、酸洗處理、電解拋光處理和鏡面拋光處理等.

影響真空絕緣水平的主要因素

電極的幾許形狀

電極的幾許形狀對電場的分布有很大的影響，往往因為幾許形狀不行恰當(dāng)，引起電場在部分過于集中而導(dǎo)致?lián)舸?，這一點在高電壓的真空產(chǎn)品中特別杰出。

電極邊際的曲率半徑大小是重要因素。一般來說，曲率半徑大的電極接受擊穿電壓的能力比曲率半徑小的大。

此外，擊穿電壓還和電極面積的大小成反比，即跟著電極面積的增大而有所下降。面積增大導(dǎo)致耐壓下降的原因主要是放電概率添加。

空隙間隔

真空的擊穿電壓與空隙間隔有著比較清晰的關(guān)系。試驗標(biāo)明，當(dāng)空隙間隔較小時，擊穿電壓跟著空隙間隔的添加而線性添加，但跟著空隙間隔的進(jìn)一步添加，擊穿電壓的添加減緩，即真空空隙發(fā)作擊穿的電場強度跟著空隙間隔的添加而減小。當(dāng)空隙到達(dá)一定的長度后，單靠添加空隙間隔進(jìn)步耐壓水平已經(jīng)好不容易，這時選用多斷口反而比單斷口有利。據(jù)國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會報告顯示,中國目前正在天津、西安、北京、上海等16個地區(qū)打造25個FAB建設(shè)項目,福建晉華集成電路、長江存儲科技公司等企業(yè)技術(shù)水平雖不及韓國,但均已投入芯片量產(chǎn)。

一般以為短空隙下的穿主要是場致發(fā)射引起的，而長空隙下的的穿則主要是微粒效應(yīng)所致。