涂裝技術(shù)的發(fā)展方向

　　隨著建筑涂料的深入發(fā)展，涂裝工程是一個系統(tǒng)工程的理念已日漸深入人心，要提高涂裝工程質(zhì)量，除了高質(zhì)量的涂料產(chǎn)品外，必須要有高質(zhì)量的配套產(chǎn)品及規(guī)范的施工技術(shù)與之相適應，一環(huán)套一環(huán)缺一不可，否則將會出現(xiàn)各種工程質(zhì)量問題。流水線設(shè)備操作簡要1、電器操作簡要：流水線的電源需要三相四線，外面裝有總開關(guān)一個，（可用三相四線四極開關(guān)，用開關(guān)只控制三相電源，零線直接，注意切不可將第二種接法的零線也經(jīng)過另外一個開關(guān)）。然而，人們對涂料的性能、質(zhì)量及價格十分關(guān)心，對涂料施工技術(shù)及涂料工程質(zhì)量控制往往有所忽略。加強涂裝技術(shù)的研究，提高涂裝工程質(zhì)量已迫在眉睫。

　　建筑涂料涂裝技術(shù)包括：基層處理、膩子、底漆、涂料及施工技術(shù)等，其中涂料的研究已取得了長足的進步，大多已有標準可依，而其他幾項均屬于薄弱環(huán)節(jié)，標準、規(guī)范還遠遠趕不上發(fā)展，加快涂料配套產(chǎn)品及施工技術(shù)的研究是我們今后努力的方向。

電泳涂裝法

電泳涂裝是一種特殊的涂膜形成方法。僅適用于電泳涂裝專用的水性涂料（簡稱電泳涂料）。它是汽車涂裝近（20～30）年來普及的涂底漆方法之一。

電泳涂裝是將具有導電性的被涂物浸漬在裝滿水稀釋的、濃度比較低的電泳涂料槽中作為陽極（或陰極），在槽中另設(shè)置與其相對應的陰極（或陽極），在兩極間通一定時間的直流電，在被涂物上析出均一、水不溶涂膜的一種涂裝方法。

根據(jù)被涂物的極性和電泳涂料的種類，電泳涂裝法可分為陽極電泳和陰極電泳兩種。

陽極電泳涂裝法：被涂物為陽極，所采用的電泳涂料是陰離子型（帶負電荷）。

陰極電泳涂裝法：被涂物為陰極，所采用的電泳涂料是陽離子型（帶正電荷）。

電泳涂裝法的機理及其特征

電泳涂裝過程伴隨電解、電泳、電沉積、電滲等四種電化學物理現(xiàn)象，現(xiàn)將這些現(xiàn)象簡要說明如下：

電解：任何一種導電液體在通電時產(chǎn)生分解的現(xiàn)象稱為電解。涂裝設(shè)備的環(huán)境保護現(xiàn)狀及解決方法對于現(xiàn)代化的涂裝設(shè)備線，一般都能知足恒溫、恒濕和潔凈的空氣（空氣粉塵含量<。眾所周知的例子是水的電解能分解成為氫氣和氧氣。一般電解伴隨在一個或兩個電極上逸出氣體，在電極上分別進行著氧化與還原反應。在電泳過程中水發(fā)生電解，在陰極上放出氫氣，在陽極上放出氧氣，金屬陽極產(chǎn)生溶解，溶出金屬離子。

電泳：在導電介質(zhì)中的帶電荷的膠體粒子在電場的作用下，帶正電荷膠體樹脂粒子和顏料粒子由電泳過程移向陰極。

電沉積：漆粒子在電極上的沉析現(xiàn)象稱為電沉積。其二是我國一些基礎(chǔ)元器件及控制元件質(zhì)量不過關(guān)，經(jīng)受不住長期考驗。在陰極電泳涂裝時帶正電荷的粒子在陰極上凝聚，帶負電荷的粒子（離子）在陽極聚集。電沉積的di一步是水的電化學分解（電解）。假使槽液的PH是中性，在陰極上的反應是形成氫氣和氫氧根離子（OH-），這一反應致使在陰極表面區(qū)產(chǎn)生高堿性界面層，當陽離子（樹脂和顏料）與氫氧根離子反應變成不溶性時就產(chǎn)生涂膜的沉積。

電滲：剛沉積到被涂物表面上的涂膜是半滲透的膜，在電場的持續(xù)作用下，涂膜內(nèi)部所含的水分從涂膜中滲析出來移向槽液，使涂膜脫水，這種現(xiàn)象稱為電滲。涂裝前準備：1、涂裝前應檢查所有的品種、型號、規(guī)格是否符合施工技術(shù)條件的規(guī)定。電滲使親水的涂膜變成憎水涂膜，脫水而使涂膜致密化。電滲性好的電泳涂料泳涂后的濕漆涂膜可用手摸也不粘手，可用水沖洗掉附著在濕涂膜上的槽液。

流水線的原理

     流水線的基本原理是把一個重復的過程分解為若干個子過程，前一個子過程為下一個子過程創(chuàng)造執(zhí)行條件，每一個過程可以與其它子過程同時進行。為提高汽車車身內(nèi)腔和焊縫面的防腐蝕性，美國福特汽車公司于1957年開始著手研究電泳涂裝法，于1961年建成一條泳涂車輪的試驗生產(chǎn)線（陽極電泳涂裝法），在1963年成功地用于汽車車身涂裝。流水線各段執(zhí)行時間的那段為整個流水線的瓶頸，一般地，將其執(zhí)行時間稱為流水線的周期。加速比 = 采用流水線后的速度/未采用流水線的速度。采用流水線的時間/采用流水線后的時間。流水線的設(shè)備利用率，在時空圖上表現(xiàn)為n個任務占用的時空區(qū)與k個 功能段總的時空區(qū)之比。