納米鍍膜技術(shù)是將納米級的二氧化硅均勻的涂抹在手機屏面，讓二氧化硅慢慢的滲透并填充屏面凹陷坑洼處，在自然溫度下靜置5-10分鐘等待固化，或者使用專業(yè)的納米鍍膜機快速固化，形成有9H硬度的保護涂層。

       同時，早期手機貼膜的材質(zhì)都是塑料成分，透光率不好，屏面整體可視性差，太陽光下的反光現(xiàn)象傷害視力，越看不清越努力的看更是損傷眼睛的健康；而納米鍍膜的微薄涂層透光率高，呈現(xiàn)效果清晰,還能有效還原屏幕原有的畫質(zhì)色彩，極大提升手機的品質(zhì)使用感。

       從材質(zhì)的健康角度來說，貼膜的塑料成分中含有苯，苯的有毒性大家共知，長期接觸人體飽受；而納米的屬性是無毒、無味的食品等級，是兒童都可以觸碰的無毒產(chǎn)品，衡量利弊當(dāng)然還是納米鍍膜好。

原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種方法（技術(shù)）。當(dāng)前驅(qū)體達(dá)到沉積基體表面，它們會在其表面化學(xué)吸附并發(fā)生表面反應(yīng)。在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應(yīng)器進(jìn)行清洗。由此可知沉積反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)能否在被沉積材料表面化學(xué)吸附是實現(xiàn)原子層沉積的關(guān)鍵。氣相物質(zhì)在基體材料的表面吸附特征可以看出，任何氣相物質(zhì)在材料表面都可以進(jìn)行物理吸附，但是要實現(xiàn)在材料表面的化學(xué)吸附必須具有一定的活化能，因此能否實現(xiàn)原子層沉積，選擇合適的反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)是很重要的。

       原子層沉積（ALD）是一種沉積原子級薄膜的技術(shù)，它是以一種連續(xù)脈沖的方式在樣品表面和反應(yīng)前驅(qū)體材料之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。與傳統(tǒng)的等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)相比，沉積速率相對較慢，但是它可在高深寬比的溝槽和通孔結(jié)構(gòu)上沉積均勻薄膜。另外，在原子層沉積過程中，樣品表面上沒有物理和電學(xué)損傷，而在PECVD過程中由于離子轟擊這種損傷卻不可避免。此外，通過使用不同的反應(yīng)材料可沉積各種薄膜（氧化物，氟化物，氮化物，金屬等）。

1、派瑞林真空鍍膜設(shè)備有效應(yīng)用于磁性材料領(lǐng)域，派瑞林的制備工藝和優(yōu)異性能相結(jié)合，使它能對小型超小型磁材進(jìn)行無薄弱點全涂敷的磁材可浸鹽酸10天以上不腐蝕，目前國際上小型或者超小型磁材，幾乎都采用派瑞林鍍膜工藝作絕緣和防護涂層。

2、派瑞林真空鍍膜設(shè)備有效應(yīng)用于印制電路組件和元器件領(lǐng)域，鍍膜材料通過派瑞林真空鍍膜設(shè)備使得活性的對二雙游離基小分子氣在印制電路組件表面沉積聚合完成。氣態(tài)的小分子能滲透到包括貼裝件下面任何一個細(xì)小縫隙的基材上沉積，形成分子量約50萬的高純聚合物。

3、派瑞林真空鍍膜設(shè)備有效應(yīng)用于微電子集成電路領(lǐng)域，派瑞林的真空氣相沉積工藝不僅和微電子集成電路制作工藝相似，而且所制備的派瑞林涂層介電常數(shù)也低，還能用微電子加工工藝進(jìn)行刻蝕制圖，進(jìn)行再金屬化，因此派瑞林（Parylene）不僅可用作防護材料，而且也能作為結(jié)構(gòu)層中的介電材料和掩膜材料使用，經(jīng)派瑞林（Parylene）涂敷過的集成電路芯片，其25um細(xì)直徑連接線，連接強度可提高5-10倍。