蝕刻注意的問題

提高整個(gè)板子表面蝕刻速率的均勻性    板子上下兩面以及板面上各個(gè)部位的蝕刻均勻性是由板子表面受到蝕刻劑流量的均勻性決定的。    蝕刻過程中，上下板面的蝕刻速率往往不一致。一般來說，下板面的蝕刻速率高于上板面。因?yàn)樯习迕嬗腥芤旱亩逊e，減弱了蝕刻反應(yīng)的進(jìn)行?？梢酝ㄟ^調(diào)整上下噴嘴的噴啉壓力來解決上下板面蝕刻不均的現(xiàn)象。蝕刻印制板的一個(gè)普遍問題是在相同時(shí)間里使全部板面都蝕刻干凈是很難做到的，板子邊緣比板子中心部位蝕刻的快。采用噴淋系統(tǒng)并使噴嘴擺動(dòng)是一個(gè)有效的措施。更進(jìn)一步的改善可以通過使板中心和板邊緣處的噴淋壓力不同，板前沿和板后端間歇蝕刻的辦法，達(dá)到整個(gè)板面的蝕刻均勻性。    提高安全處理和蝕刻薄銅箔及薄層壓板的能力    在蝕刻多層板內(nèi)層這樣的薄層壓板時(shí)，板子容易卷繞在滾輪和傳送輪上而造成廢品。所以，蝕刻內(nèi)層板的設(shè)備必須保證能平穩(wěn)的，可靠地處理薄的層壓板。許多設(shè)備制造商在蝕刻機(jī)上附加齒輪或滾輪來防止這類現(xiàn)象的發(fā)生。更好的方法是采用附加的左右搖擺的聚四氟乙烯涂包線作為薄層壓板傳送的支撐物。對于薄銅箔(例如1/2或1/4盎司)的蝕刻，必須保證不被擦傷或劃傷。薄銅箔經(jīng)不住像蝕刻1盎司銅箔時(shí)的機(jī)械上的弊端，有時(shí)較劇烈的振顫都有可能劃傷銅箔。





等離子刻蝕機(jī)，又叫等離子蝕刻機(jī)、等離子平面刻蝕機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中常見的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時(shí)，會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講，等離子清洗實(shí)質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進(jìn)行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。近期的發(fā)展是在反應(yīng)室的內(nèi)部安裝成擱架形式，這種設(shè)計(jì)的是富有彈性的，用戶可以移去架子來配置合適的等離子體的蝕刻方法：反應(yīng)性等離子體（RIE），順流等離子體（downstream），直接等離子體（direction plasma）。

蝕刻機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別

這倆設(shè)備非常簡單的表述便是光刻機(jī)把原理圖投射到遮蓋有光刻膠的硅片上邊，刻蝕機(jī)再把剛剛畫了原理圖的硅片上的不必要原理圖浸蝕掉，那樣看上去好像沒有什么難的，可是有一個(gè)品牌形象的形容，每一塊集成ic上邊的電源電路構(gòu)造變大成千上萬倍看來比全部北京市都繁雜，這就是這光刻和蝕刻加工的難度系數(shù)。 光刻的全過程就是目前制做好的硅圓表面涂上一層光刻膠(一種能夠被光浸蝕的膠狀物化學(xué)物質(zhì))，下面根據(jù)光源(加工工藝難度系數(shù)紫外線＜深紫外線＜極紫外線)通過掩膜照射硅圓表面(相近投射)，由于光刻膠的遮蓋，照射的一部分被浸蝕掉，沒有陽光照射的一部分被留下，這一部分就是必須 的電源電路構(gòu)造。 蝕刻加工分成二種，一種是干刻，一種是濕刻(現(xiàn)階段流行)，說白了，濕刻便是全過程中存水添加，將上邊歷經(jīng)光刻的圓晶與特殊的化學(xué)溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是電源電路構(gòu)造了，干刻現(xiàn)階段都還沒完成商業(yè)服務(wù)批量生產(chǎn)，其基本原理是根據(jù)等離子技術(shù)替代化學(xué)溶液，除去不用的硅圓一部分。