單晶硅片

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。 

單晶硅片 

當(dāng)今開發(fā)設(shè)計(jì)得更快的這種太陽(yáng)電池，它的組成和生產(chǎn)工藝流程已定形，商品已普遍用以宇宙空間和路面設(shè)備。這類太陽(yáng)電池以高純度的單晶硅棒為原材料，純凈度規(guī)定99.999%。以便降低成本成本費(fèi)，如今路面運(yùn)用的太陽(yáng)電池等選用太陽(yáng)能發(fā)電級(jí)的單晶硅棒，原材料性能參數(shù)有一定的放開。有的也可應(yīng)用集成電路工藝生產(chǎn)加工的頭尾料和廢次單晶硅原材料，歷經(jīng)復(fù)拉做成太陽(yáng)電池專用型的單晶硅棒。將單晶硅棒切一片，通常片厚約0.3mm。硅片歷經(jīng)成型、研磨拋光、清理等工藝流程，做成待生產(chǎn)加工的原材料硅片。生產(chǎn)加工太陽(yáng)電池片，先要在硅片上夾雜和外擴(kuò)散，通常夾雜物為微量分析的硼、磷、銻等。外擴(kuò)散是在石英管做成的高溫?cái)U(kuò)散爐中開展。那樣就在硅片上產(chǎn)生P/FONT>N 結(jié)。然后采用絲網(wǎng)印刷法，將配好的銀漿印在硅片上做成柵線，經(jīng)過燒結(jié)，同時(shí)制成背電極，并在有柵線的面涂覆減反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，至此，單晶硅太陽(yáng)電池的單體片就制成了。單體片經(jīng)過抽查檢驗(yàn)，即可按所需要的規(guī)格組裝成太陽(yáng)電池組件（太陽(yáng)電池板），用串聯(lián)和并聯(lián)的方法構(gòu)成一定的輸出電壓和電流，后用框架和封裝材料進(jìn)行封裝。用戶根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，可將太陽(yáng)電池組件組成各種大小不同的太陽(yáng)電池方陣，亦稱太陽(yáng)電池陣列。目前單晶硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率為 15% 左右，實(shí)驗(yàn)室成果也有 20% 以上的。用于宇宙空間站的還有高達(dá) 50% 以上的太陽(yáng)能電池板。

晶硅太陽(yáng)能電池板的制作過程

晶硅太陽(yáng)能光伏板的制做全過程 

3、去磷硅玻璃該加工工藝用以太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)加工全過程中，根據(jù)有機(jī)化學(xué)浸蝕法也即把硅片放到鹽酸水溶液中侵泡，使其造成放熱反應(yīng)轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸，以除去外擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表層產(chǎn)生的一層層磷硅玻璃。在外擴(kuò)散全過程中，POCL3與O2反映轉(zhuǎn)化成P2O5淀積在硅片表層。P2O5與Si反映又轉(zhuǎn)化成SiO2和磷分子，那樣就在硅片表層產(chǎn)生一層層帶有磷原素的SiO2，稱作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的機(jī)器設(shè)備通常由本身、清理槽、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)軟件、機(jī)械手臂、電氣系統(tǒng)和全自動(dòng)配酸系統(tǒng)軟件等一部分構(gòu)成，關(guān)鍵能源有鹽酸、N2、空氣壓縮、純凈水，熱排風(fēng)系統(tǒng)和污水。鹽酸可以融解sio2由于鹽酸與sio2反映轉(zhuǎn)化成容易揮發(fā)的四氟化硅汽體。若鹽酸過多，反映轉(zhuǎn)化成的四氟化硅會(huì)深化與鹽酸反映轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸。 

4、低溫等離子刻蝕因?yàn)樵谕鈹U(kuò)散全過程中，即便選用背對(duì)背外擴(kuò)散，硅片的全部表層包含邊沿都將難以避免地外擴(kuò)散上磷。PN結(jié)的反面所搜集到的光生電子器件會(huì)順著邊沿外擴(kuò)散有磷的地區(qū)流進(jìn)PN結(jié)的反面，而導(dǎo)致短路故障。因而，務(wù)必對(duì)太陽(yáng)電池附近的夾雜硅開展刻蝕，以除去充電電池邊沿的PN結(jié)。一般 選用低溫等離子刻蝕技術(shù)性進(jìn)行這一加工工藝。低溫等離子刻蝕是在底壓情況下，反映汽體CF4的孕媽分子結(jié)構(gòu)在頻射輸出功率的激起下，造成電離并產(chǎn)生等離子技術(shù)。等離子技術(shù)是由感應(yīng)起電的電子器件和正離子構(gòu)成，反映波導(dǎo)管中的汽體在電子器件的碰撞下，除開轉(zhuǎn)化成正離子外，還能消化吸收動(dòng)能并產(chǎn)生很多的特異性基團(tuán)。特異性反映基團(tuán)因?yàn)橥鈹U(kuò)散或是在靜電場(chǎng)功效下抵達(dá)SiO2表層，在那邊與被刻蝕原材料表層產(chǎn)生放熱反應(yīng)，并產(chǎn)生揮發(fā)物的反映反應(yīng)物擺脫被刻蝕化學(xué)物質(zhì)表層，被超濾裝置抽出來波導(dǎo)管。

晶體硅電池片

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晶體硅電池片檢驗(yàn)方法：

2 ） 外觀目測(cè)：

a. 與表面成 35 °角日常光照情況下觀察表面顏色，目視顏色均勻 一致 ，無明顯色差花斑、水痕、手印、劃痕及污垢。

b. 隱裂：電池片有隱裂、 肉眼可見的裂紋， 均視為不合格

c. 背面鋁背電極完整，表面平整 、 邊界清晰 、 無明顯凸起的“鋁珠 ， 脫落 3mm 2   / 個(gè) ≤ 5mm 2 、鼓泡累計(jì)面積≤5mm

2  ,  背面鋁膜與基體材料的附著強(qiáng)度?   背膜燒結(jié)：用層壓機(jī) 130 — 145 度，超過 10 分鐘。冷卻到室溫后，用刀片隔開 1cm 的寬度，用大于 50N 的拉力，鉛膜不隨 EVA 脫落，則認(rèn)為合格。

d. 受光面柵線：主柵線均勻完整，柵線印刷清晰、對(duì)稱；主柵線與細(xì)柵線處允許≤ 1mm ；細(xì)柵線允許≤ 2mm 的脫落；柵線印刷偏離，明顯兩次印刷的返工片視為不合格；斷點(diǎn)的總數(shù)≤ 60mm。

e. 崩邊：每一邊不超過兩處崩邊，崩邊間距≥ 30mm 、深度≤ 0.5 片子厚度、面積≤ mm 2

f . 電池邊緣缺角面積不超過 1mm 2 ，數(shù)量不超過 2 個(gè)。缺角：一邊有一處崩邊，面積≤5mm 2 ，一邊由兩處崩邊、面積≤3mm 2

g. 電池的崩邊、鈍形缺口等外形缺損的尺寸要求：長(zhǎng)度不大于 1.5mm ，由邊緣向中心的深度不大于 0.5mm ，同一片電池上正面出現(xiàn)此類外形缺損數(shù)量不超過兩處。同時(shí)不允許電池上 V 形缺口。