同方迪一整流橋工藝

整流橋生產(chǎn)過程5大生產(chǎn)流程，從芯片的選擇，到注塑切割，后到了檢驗這一步在下圖中都一一列舉，若要更詳細(xì)的去分解，整流橋的生產(chǎn)過程有12道生產(chǎn)工序，5道檢驗，都是為了保障產(chǎn)品的質(zhì)量。

生產(chǎn)工藝

1.芯片焊接與框架組裝，2.注塑成型，3.切筋，4.出廠測試，5.外檢包裝。

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同方迪一分享整流橋的工作原理

整流橋就是將整流管封裝在一個殼內(nèi)，分為全橋和半橋。全橋是將四只整流二極管接成橋路的形式，半橋有三種結(jié)構(gòu)：一種是將兩只二極管順向串聯(lián)，在結(jié)點處引出一電極，另一 種是將兩只二極管背靠背式反極性連接；第三種是將兩只二極管頭碰頭式反極性連接。

在整流橋的每個作業(yè)周期內(nèi)，同一時間只有兩個二極管進(jìn)行作業(yè)，通過二極管的單向?qū)üδ?，把交流電電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動電壓。

整流前正弦波→整流后饅頭波→濾波后平滑的直流。

同方迪一分享整流橋的主要參數(shù)

整流橋的本質(zhì)是二極管，所以整流橋的主要參數(shù)與二極管類似。

①反向峰值電壓（VRRM）：整流橋能承受的反向電壓*大值，超過此值,整流橋擊穿。示例中GBJ2510反向峰值電壓為1000V。

②平均整流電流（Io）:整流橋長期工作時所能承受的流過的*大電流，超過這個值整流橋熱擊穿。示例中全系列整流橋的平均整流電流在帶散熱片的條件下為25A，不帶散熱片的條件下為4A。

③正向峰值浪涌電流（IFSM）：整流橋能扛住的瞬間電流沖擊*大值，超過此值，整流橋損壞。示例中全系列整流橋能在半個周期內(nèi)扛住的*大沖擊電流為320A。

同方迪一解析整流橋堆四極區(qū)分方法有哪些？

1.整流橋堆的四個白電平的測量方法：在Du檢測過程中，可以通過測量“ ”極與兩個“ Dao”?之間的每個整流二極管的正向和反向電阻值來判斷全橋是否損壞。 “極”，“一個”極和兩個“?”極（與普通二極管相同）是正常的。 如果整個橋中二極管的正向和反向電阻均為零或無窮大，則可以判斷該二極管已被開路擊穿或損壞。

2.整流橋堆由兩個或四個二極管組成。 橋樁分為三種：半橋，全橋和三相橋。 半橋有正半橋和負(fù)半橋兩種。 樁橋的字符符號是ur。