封裝過程為：

來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后，被切割為小的晶片（Die），然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細的金屬（金、錫、銅、鋁）導線或者導電性樹脂將晶片的接合焊盤（Bond Pad）連接到基板的相應引腳（Lead）,并構成所要求的電路；然后再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護，塑封之后，還要進行一系列操作，如后固化（切筋和成型（Trim&Form）、電鍍（Plating）以及打印等工藝。封裝完成后進行成品測試，通常經(jīng)過入檢（Incoming）、測試（Test）和包裝（Packing）等工序，后入庫出貨。典型的封裝工藝流程為：劃片 裝片 鍵合 塑封 去飛邊 電鍍 打印 切筋和成型 外觀檢查 成品測試 包裝出貨。

芯片級封裝CSP

幾年之前封裝本體面積與芯片面積之比通常都是幾倍到幾十倍，但近幾年來有些公司在BGA、TSOP的基礎上加以改進而使得封裝本體面積與芯片面積之比逐步減小到接近1的水平，所以就在原來的封裝名稱下冠以芯片級封裝以用來區(qū)別以前的封裝。

人們對芯片級封裝還沒有一個統(tǒng)一的定義，有的公司將封裝本體面積與芯片面積之比小于2的定為CSP，而有的公司將封裝本體面積與芯片面積之比小于1.4或1.2的定為CSP。開發(fā)應用為廣泛的是FBGA和QFN等，主要用于內存和邏輯器件。CSP的引腳數(shù)還不可能太多，從幾十到一百多。這種高密度、小巧、扁薄的封裝非常適用于設計小巧的掌上型消費類電子裝置。

CSP封裝具有以下特點：解決了IC裸芯片不能進行交流參數(shù)測試和老化篩選的問題；封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10；延遲時間縮到極短；CSP封裝的內存顆粒不僅可以通過PCB板散熱，還可以從背面散熱，且散熱效率良好。就封裝形式而言，它屬于已有封裝形式的派生品，因此可直接按照現(xiàn)有封裝形式分為四類：框架封裝形式、硬質基板封裝形式、軟質基板封裝形式和芯片級封裝。

表面貼裝型

PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA小一半，所以封裝本體可制作小一些，而引腳數(shù)比插裝型多(250～528)，是大規(guī)模邏輯LSI用的封裝形式。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)，以多層陶瓷基材制作的封裝已經(jīng)實用化。

有機管引腳矩陣式封裝OPGA。這種封裝的基底使用的是玻璃纖維，類似印刷電路板上的材料。此種封裝方式可以降低阻抗和封裝成本。