化學氣相沉積技術(shù)類型介紹

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化學氣相沉積裝置主要的元件就是反應器。按照反應器結(jié)構(gòu)上的差別，我們可以把化學氣相沉積技術(shù)分成開管/封管氣流法兩種類型：

1 封管法這種反應方式是將一定量的反應物質(zhì)和集體放置于反應器的兩邊，將反應器中抽成真空， 再向其中注入部分輸運氣體，然后再次密封， 再控制反應器兩端的溫度使其有一定差別，它的優(yōu)點是：①能有效夠避免外部污染；②無須持續(xù)抽氣就能使是內(nèi)部保持真空。

2 開管法這種制備方法的特點是反應氣體混合物能夠隨時補充。廢氣也可以及時排出反應裝置。以加熱方法為區(qū)分，開管氣流法應分為熱壁和冷壁兩種。前者的加熱會讓整個沉積室壁都會因此變熱，所以管壁上同樣會發(fā)生沉積。冷壁式加熱一般會使用感應加熱、通電加熱以及紅外加熱等等。由于反應氣體、反應產(chǎn)物和基體的相互擴散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。

化學氣相沉積的特點有哪些？

?  高溫石英管反應器設(shè)計

?  溫度范圍：室溫到1100度

?  多路氣體準確控制

?  標準氣壓計

?  易于操作

?  可配機械泵實現(xiàn)低壓TCVD

?  可用于制備金屬氧化物、氮化物、碳化物、金屬薄膜

?  液體前驅(qū)體噴頭

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司本著多年化學氣相沉積行業(yè)經(jīng)驗，專注化學氣相沉積研發(fā)定制與生產(chǎn)，先進的化學氣相沉積生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)，建立了嚴格的產(chǎn)品生產(chǎn)體系，想要更多的了解，歡迎咨詢圖片上的熱線電話?。。?

等離子體化學氣相沉積的化學反應

以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司為您提供，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助。

等離子體內(nèi)的化學反應

由于輝光放電過程中對反應氣體的激勵主要是電子碰撞，因此等離子體內(nèi)的基元反應多種多樣的，而且等離子體與固體表面的相互作用也非常復雜，這些都給PECVD技術(shù)制膜過程的機理研究增加了難度。迄今為止，許多重要的反應體系都是通過實驗使工藝參數(shù)較優(yōu)化，從而獲得具有理想特性的薄膜。對基于PECVD技術(shù)的硅基薄膜的沉積而言，如果能夠深刻揭示其沉積機理，便可以在保證材料優(yōu)良物性的前提下，大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率。ICP刻蝕機的原理感應耦合等離子體刻蝕法（InductivelyCoupledPlasmaEtch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結(jié)果。

ICP刻蝕機檢測技術(shù)

高密度等離子體刻蝕是當今超大規(guī)模集成電路制造過程中的關(guān)鍵步驟。已經(jīng)開發(fā)出許多終點檢測技術(shù)，終點檢測設(shè)備就是為實現(xiàn)刻蝕過程的實時監(jiān)控而設(shè)計的。

光學發(fā)射:

光學發(fā)射光譜法（OES）是使用較為廣泛的終點檢測手段。其原理是利用檢測等離子體中某種反應性化學基團或揮發(fā)性基團所發(fā)射波長的光強的變化來實現(xiàn)終點檢測。等離子體中的原子或分子被電子激發(fā)到激發(fā)態(tài)后，在返回到另一個能態(tài)時，伴隨著這一過程所發(fā)射出來的光線。他們所使用的襯底材料有藍寶石、石英玻璃以及氧化釔穩(wěn)定化的二氧化鋯（YSZ）等等。

光線的強度變化可從反應腔室側(cè)壁上的觀測孔進行觀測。不同原子或分子所激發(fā)的光波波長各不相同，光線強度的變化反應出等離子體中原子或分子濃度的變化。被檢測的波長可能會有兩種變化趨式：一種是在刻蝕終點時， 反應物所發(fā)出的光線強度增加；用冷、熱探針接觸硅片一個邊沿不相連的兩個點，電壓表顯示這兩點間的電壓為正值，說明導電類型為P型，刻蝕合格。另一種情形是光線強度減弱。

激光干涉：

激光干涉終點法（IEP）是用激光光源檢測透明薄膜厚度的變化，當厚度變化停止時，則意味著到達了刻蝕終點。其原理是當激光垂直入射薄膜表面時，在透明薄膜前被反射的光線與穿透該薄膜后被下層材料反射的光線相互干涉。

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