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吸收電路的損耗
開(kāi)關(guān)MOS管DS極之間通常會(huì)加一個(gè)小電容如圖2左,用來(lái)吸收管子上的電壓尖峰,MOS管上的這個(gè)吸收電容C5會(huì)損耗能量,在確保管子應(yīng)力有足夠余量的情況下,吸收電容容值越小,損耗越小。
輸出整流管上的RC吸收電路如圖2所示,降低RC吸收的損耗,在電路允許的情況下,減小電容C12容值,減小電阻R6阻值可以降低損耗。
電源為何需要浪涌防護(hù)電路
電源模塊是系統(tǒng)與外部接觸、接口的,外部傳來(lái)的浪涌都經(jīng)過(guò)電源模塊,所以需要浪涌防護(hù)電路。
由于電源模塊體積小,集成度高,內(nèi)部的控制芯片和晶體管等器件耐壓上限和電流下限都比較極限,一個(gè)浪涌電壓過(guò)來(lái)可能就使模塊損壞失效,導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的癱瘓,即使沒(méi)有立馬損壞,器件受到應(yīng)力沖擊,也會(huì)影響壽命和可靠性,所以為了保證電源模塊持續(xù)可靠的應(yīng)用,一般都需要加上浪涌防護(hù)電路。電源模塊受限于體積小,很多模塊內(nèi)部不能加上防浪涌電路,所以需要在模塊的外部加上防浪涌電路。如利德華福技術(shù)的HA系列開(kāi)關(guān)電源,將其FG端子接大地或接用戶機(jī)殼,方能滿足上述電磁兼容的要求。