物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積的區(qū)別

化學(xué)氣相沉積過(guò)程中有化學(xué)反應(yīng)，多種材料相互反應(yīng)，生成新的的材料。

物理氣相沉積中沒(méi)有化學(xué)反應(yīng)，材料只是形態(tài)有改變。

物理氣相沉積技術(shù)工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，對(duì)環(huán)境改善，無(wú)污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強(qiáng)。

化學(xué)雜質(zhì)難以去除。優(yōu)點(diǎn)可造金屬膜、非金屬膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的繞射性好

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ICP刻蝕機(jī)的原理

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡(jiǎn)稱ICPE）是化學(xué)過(guò)程和物理過(guò)程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì)，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。在比較低的溫度下，銥碳簇膜的界面電導(dǎo)率能達(dá)到純銥或者純鉑的百倍以上。

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ICP刻蝕機(jī)的操作及判斷

1. 確認(rèn)萬(wàn)用表工作正常，量程置于200mV。

2.冷探針連接電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負(fù)極相連。

3.用冷、熱探針接觸硅片一個(gè)邊沿不相連的兩個(gè)點(diǎn)，電壓表顯示這兩點(diǎn)間的電壓為正值，說(shuō)明導(dǎo)電類型為P 型，刻蝕合格。相同的方法檢測(cè)另外三個(gè)邊沿的導(dǎo)電類型是否為P型。

4.如果經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)，任何一個(gè)邊沿沒(méi)有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新裝片，進(jìn)行刻蝕。

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