為了研究、解決以上這些問題，后來發(fā)展起來了一門學科 EMC。若想更深入了解，讀 者可以去研讀一下鄭軍奇的《EMC 電磁兼容設計與測試案例分析》，有些例子相當經(jīng)典。

（1）去耦。當器件高速開關時，把射頻能量從高頻器件的電源端泄放到電源分配網(wǎng)絡。 去耦電容也為器件和元件提供一個局部的直流源，這對減小電流在板上傳播浪涌尖峰很有 作用。

（2）旁路。把不必要的共模 RF 能量從元件或線纜中泄放掉。它的實質是產(chǎn)生一個交 流支路來把不需要的能量從易受影響的區(qū)域泄放掉。另外，它還提供濾波功能（帶寬限制）， 有時籠統(tǒng)地稱為濾波。

這里用E電動勢作為電動勢的符號，以區(qū)別于電場強度E。這個問題的提出和教材（包括一些大學教材）有關。教材常把用電源對電容器充放電過程表示為圖6.9。這樣表示有三個問題：1.只用電動勢E電動勢不能完全表示電源的特性，電源的特性必須用電動勢E電動勢和內阻r兩個物理量描述，不存在內阻r＝ 0的電源。就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進行放電。2.實際充電過程中電源內阻r可以起到限制充電電流的作用；但是如果電容器的電容較大、電源電動勢較高，還需要在電路中串接限流電阻以防止充電電流過大損壞電源和電流表。3.如果電容器電容較大且充電電壓較高，放電時也應增加限流電阻，以免損壞電流表。

下面就討論電源給電容器充電的過程中能量的分配問題，設電源電動勢和電容器電容量都不大，充電電路如圖6.10和圖6.11所示。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負載器件的供電電源管腳和地管腳。圖6.10 和圖6.11 是一樣的，只是對電源的表示方法不同，圖6.10 中把電源電動勢和內阻分開表示，圖6.11中把電源電動勢和內阻合起來標注在電源下方，這樣才是電源的正確表示方法。

高頻領域中的電容器

一般情況下，我們接觸的多是中、低頻的電容器設計應用，正如我們從初中開始學習電容器時也是赫茲數(shù)不是很高一樣。但是，往往當進入到了高頻率的領域時，我們面對的就不僅僅是肉眼所能看到的電容器了，更多的是那些我們根本無法直接察覺到的電容效應。功率放大器部分容量選擇范圍一般是5萬微法拉、10萬微法拉、50萬微法拉、1法拉和1。在這里我把從圖書館看到的和自己想到的關于高頻領域中的電容器應用知識一一寫下來，以求對此有個比較系統(tǒng)一點的認識。

實際上，電容不僅僅只存在于電容器內部，只要兩個不同電位的表面相互靠近時就會產(chǎn)生電場，即存在電容效應，其作用就相當于一個電容器。這種無意間所形成的電容器給它一個名字就是寄生電容，它會造成電路中電流的中斷。電容器兩端電壓公式電容器兩端的電壓也符合歐姆定律電容器兩端的電壓＝流過電流*容抗，即U=IXc電容的容抗Xc=1/(ωC)，ω為電流角頻率ω=2πf電流頻率為f，市電為50Hz，C為電容的容量。由于這種電容往往與電路并聯(lián)，則頻率較高時，它將起到旁路信號的作用，即降低了信號的功率，從這個意義上來講，可以說是無形中構成了一個LPF。