純水處理設(shè)備:純水與超純水區(qū)別

純水處理設(shè)備:純水和超純水區(qū)別存在于很多方面，這里只列舉了其中的一些方面，現(xiàn)歸納如下：

^電導(dǎo)率不同，純水電導(dǎo)率在 2-10us/cm 之間，超純水的電導(dǎo)率為 0.056us/cm

^制造的難易程度不同，目前市場上使用的純水基本上都是經(jīng)過反滲透、蒸餾等方法制得，而超純水是純水的基礎(chǔ)上還要經(jīng)過

光氧化技術(shù)、精處置和拋光處理等一系列復(fù)雜的純化技術(shù)制得的

^重金屬、細(xì)菌、微粒數(shù)等指標(biāo)也大不相同，純水雜質(zhì)含量是 ppm 級(jí)，而超純水為 ppb 級(jí)，簡單地說超純水中已經(jīng)沒有什么雜質(zhì)，接近于理論上的水。

反滲透的維護(hù)工作是保證純水質(zhì)量的關(guān)鍵

反滲透是純水處理設(shè)備的核心部件，經(jīng)預(yù)處理并達(dá)到反滲透膜要求的原水經(jīng)反滲透過濾后就成了純水，因此做好反滲透的維護(hù)工作是保證純水質(zhì)量的關(guān)鍵。反滲透膜在工作過程中膜表面的鹽濃度高于主體流體中的濃度，這種現(xiàn)象稱為濃差極化。濃差極化的后果是使一些鹽在膜表面上沉淀，堵塞反滲透膜產(chǎn)水通道，使膜的產(chǎn)水量下降。給水中的有機(jī)物不被連續(xù)沖掉或被定期沖洗掉時(shí)會(huì)在膜表面沉積，特別是一些表面帶電荷的反滲透膜，會(huì)吸引帶電的有機(jī)物并將其粘滯在膜表面上。有機(jī)物在膜表面的沉積對(duì)膜造成的損害比鹽在膜表面的沉淀還要嚴(yán)重，有時(shí)這種損害是不可逆轉(zhuǎn)的。膜表面有機(jī)物及各種鹽類的濃度都遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于主體水流，這為細(xì)菌的繁殖提供了豐富的營養(yǎng)。大量的微生物菌團(tuán)不但堵塞產(chǎn)水通道，而且由于反滲透膜本身也是有機(jī)物，會(huì)被微生物所分解，造成不可逆轉(zhuǎn)的損傷。水中氧化性物質(zhì)如余氯等在膜表富集，富集至一定程度后超出膜本身所能承受的濃度，反滲透膜就會(huì)被子氧化分解。

超純水的整個(gè)工藝流程是什么?

超純水的整個(gè)工藝流程是先經(jīng)過預(yù)處理，然后加藥殺毒，再經(jīng)過RO反滲透系統(tǒng)，再使用EDI設(shè)備制取超純水。EDI作為制取超純水的設(shè)備，作為反滲透設(shè)備后的二次除鹽設(shè)備，可以制取出高達(dá)10-18.2MΩ.CM。EDI設(shè)備無需化學(xué)藥劑的再生，可以連續(xù)運(yùn)行。在具體的應(yīng)用中，僅調(diào)節(jié)EDI的運(yùn)行電流就可以改變其出水水質(zhì)。因此廣泛用于微電子工業(yè)，半導(dǎo)體工業(yè)，發(fā)電工業(yè)，制藥行業(yè)和實(shí)驗(yàn)室。也可以作為制藥蒸餾水、食物和飲料生產(chǎn)用水、發(fā)電廠的鍋爐的補(bǔ)給水，以及其它應(yīng)用超純水。超純水的整個(gè)工藝流程是先經(jīng)過預(yù)處理，然后加藥殺毒，再經(jīng)過RO反滲透系統(tǒng)，再使用EDI設(shè)備制取超純水。 由于超純水對(duì)水質(zhì)的BOD和TOC等物質(zhì)的含量要求比較高，所以一般會(huì)采取二級(jí)反滲透，后面的工藝比較多的采取了EDI的技術(shù)，在純水制備技術(shù)上EDI比較有優(yōu)勢。