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光刻膠的應(yīng)用
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模擬半導(dǎo)體(Analog Semiconductors)發(fā)光二極管(Light-Emitting Diodes LEDs)微機(jī)電系統(tǒng)(Microelectromechanical Systems MEMS)太陽(yáng)能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)光電子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封裝(Packaging)
正性光刻膠的結(jié)構(gòu)
光學(xué)光刻膠通常包含以下三種成分:(1)聚合物材料(也稱(chēng)為樹(shù)脂)。聚合物材料在光的輻照下不發(fā)生化學(xué)反應(yīng),其主要作用是保證光刻膠薄膜的附著性和抗腐蝕性,同時(shí)也決定著光刻膠薄膜的其他一些特性(如光刻膠的膜厚要求、彈性要求和熱穩(wěn)定性要求等)。(2)感光材料。感光材料一般為復(fù)合性物質(zhì)(簡(jiǎn)稱(chēng)PAC或感光劑)。感光劑在受光輻照之后會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。正膠的感光劑在未曝光區(qū)域起抑制溶解的作用,可以減慢光刻膠在顯影液中的溶解速度。以正性膠為例,使用g射線和i射線光刻中的正性膠是由重氮醌(簡(jiǎn)稱(chēng)為DQ)感光劑和酚樹(shù)脂構(gòu)成。(3)溶劑(如丙二醇-,PGME)。溶劑的作用是使光刻膠在涂覆到硅片表面之前保持為液態(tài)
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光刻是整個(gè)集成電路制造過(guò)程中耗時(shí)長(zhǎng)、難度大的工藝,耗時(shí)占IC制造50%左右,成本約占IC生產(chǎn)成本的1/3。光刻膠是光刻過(guò)程重要的耗材,光刻膠的質(zhì)量對(duì)光刻工藝有著重要影響。
光刻是將圖形由掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上,為后續(xù)的刻蝕步驟作準(zhǔn)備。在光刻過(guò)程中,需在硅片上涂一層光刻膠,經(jīng)紫外線曝光后,光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化,在通過(guò)顯影后,被曝光的光刻膠將被去除,從而實(shí)現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上。再經(jīng)過(guò)刻蝕過(guò)程,實(shí)現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。在刻蝕過(guò)程中,光刻膠起防腐蝕的保護(hù)作用。
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硅片模具加工如何選擇光刻膠呢?
注意事項(xiàng):
①若腐蝕液為堿性,則不宜用正性光刻膠;
②看光刻機(jī)型式,若是投影方式,用常規(guī)負(fù)膠時(shí)氮?dú)猸h(huán)境可能會(huì)有些問(wèn)題
③負(fù)性膠價(jià)格成本低,正性膠較貴;
④工藝方面:負(fù)性膠能很好地獲得單根線,而正性膠可獲得孤立的洞和槽;
⑤健康方面:負(fù)性膠為有機(jī)溶液處理,不利于環(huán)境;正性膠屬于水溶液,對(duì)健康、環(huán)境無(wú)害。
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