化學(xué)拋光適用什么材料？工藝原理是如何的

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化學(xué)拋光主要用不銹鋼、銅及銅合金等?；瘜W(xué)拋光對(duì)鋼鐵零件，尤其是低碳鋼有較好的拋光效果，所以對(duì)于一些機(jī)械拋光時(shí)較為困難的鋼鐵零件，可采用化學(xué)拋光。

原理：化學(xué)拋光是靠化學(xué)試劑的化學(xué)浸蝕作用對(duì)樣品表面凹凸不平區(qū)域的選擇性溶解作用消除磨痕、浸蝕整平的一種方法?；瘜W(xué)拋光設(shè)備簡(jiǎn)單，能夠處理細(xì)管、帶有深孔及形狀復(fù)雜的零件，生產(chǎn)?；瘜W(xué)拋光可作為電鍍預(yù)處理工序，也可在拋光后輔助以必要的防護(hù)措施直接使用。

CMP技術(shù)的概念是1965年由Manto提出。該技術(shù)是用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面，如望遠(yuǎn)鏡等。1988年IBM開始將CMP技術(shù)運(yùn)用于4MDRAM 的制造中，而自從1991年IBM將CMP成功應(yīng)用到64MDRAM 的生產(chǎn)中以后，CMP技術(shù)在世界各地迅速發(fā)展起來。區(qū)別于傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法，CMP通過化學(xué)的和機(jī)械的綜合作用，從而避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點(diǎn)。它利用了磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來進(jìn)行拋光以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。

化學(xué)拋光溶液：

化學(xué)拋光液的成分隨拋光材料的不同而不同。一般為混合酸液?；瘜W(xué)拋光溶液由氧化劑和粘滯劑組成。氧化劑起拋光作用，它們是酸類和。常用的酸類有：正磷酸、鉻酸、硫酸、醋酸、、等等。粘滯劑用于控制溶液中的擴(kuò)散和對(duì)流速度，使化學(xué)拋光過程均勻進(jìn)行。

化學(xué)拋光操作步驟

1：試樣準(zhǔn)備：試樣經(jīng)精磨光后清洗。

2：配置化學(xué)拋光溶液?；瘜W(xué)拋光溶液應(yīng)在燒杯中調(diào)配，根據(jù)試樣材料選擇化學(xué)拋光液配方，配溶液時(shí)應(yīng)用蒸餾水，藥品用化學(xué)純?cè)噭Ｄ承┎灰兹苡谒乃幤沸枰訜崛芤翰拍苋芙狻：透g性很強(qiáng)，調(diào)配時(shí)需注意安全?；瘜W(xué)拋光溶液經(jīng)使用之后，溶液內(nèi)金屬離子增多，拋光作用減弱，如果發(fā)現(xiàn)作用緩慢，氣泡減少，應(yīng)更換新藥液。

3：試樣用竹夾或者木夾夾住浸入拋光液中，一邊攪動(dòng)并適時(shí)取出觀察至達(dá)到拋光要求后取出。

4：化學(xué)拋光結(jié)束之后，試樣應(yīng)立即清洗、吹干。