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脈沖激光沉積機制
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PLD的系統(tǒng)設(shè)備簡單,相反,它的原理卻是非常復雜的物理現(xiàn)象?;?采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片,大小2英寸,加熱溫度可達1200攝氏度,溫度差<。它涉及高能量脈沖輻射沖擊固體靶時,激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用,亦包括等離子羽狀物的形成,其后已熔化的物質(zhì)通過等離子羽狀物到達已加熱的基片表面的轉(zhuǎn)移,及膜的生成過程。所以,PLD一般可以分為以下四個階段:
1. 激光輻射與靶的相互作用
2. 熔化物質(zhì)的動態(tài)
3. 熔化物質(zhì)在基片的沉積
4. 薄膜在基片表面的成核(nucleation)與生成。
脈沖激光沉積
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在一階段,激光束聚焦在靶的表面。達到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時,靶表面的一切元素會快速受熱,到達蒸發(fā)溫度。物質(zhì)會從靶中分離出來,而蒸發(fā)出來的物質(zhì)的成分與靶的化學計量相同。它涉及高能量脈沖輻射沖擊固體靶時,激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用,亦包括等離子羽狀物的形成,其后已熔化的物質(zhì)通過等離子羽狀物到達已加熱的基片表面的轉(zhuǎn)移,及膜的生成過程。物質(zhì)的瞬時熔化率大大取決于激光照射到靶上的流量。熔化機制涉及許多復雜的物理現(xiàn)象,例如碰撞、熱,與電子的激發(fā)、層離,以及流體力學。
在第二階段,根據(jù)氣體動力學定律,發(fā)射出來的物質(zhì)有移向基片的傾向,并出現(xiàn)向前散射峰化現(xiàn)象??臻g厚度隨函數(shù)cosnθ而變化,而n>>1。激光光斑的面積與等離子的溫度,對沉積膜是否均勻有重要的影響。另外,PLD是一種“數(shù)字”技術(shù),在納米尺度上進行工藝控制(A°/pulse)。靶與基片的距離是另一個因素,支配熔化物質(zhì)的角度范圍。亦發(fā)現(xiàn),將一塊障板放近基片會縮小角度范圍。
第三階段是決定薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵。放出的高能核素碰擊基片表面,可能對基片造成各種破壞。高能核素濺射表面的部分原子,而在入射流與受濺射原子之間,建立了一個碰撞區(qū)。電拋光腔體,主腔呈方形,其前部是鉸鏈門,方便更換基底和靶材3。膜在這個熱能區(qū)(碰撞區(qū))形成后立即生成,這個區(qū)域正好成為凝結(jié)粒子的較佳場所。只要凝結(jié)率比受濺射粒子的釋放率高,熱平衡狀況便能夠快速達到,由於熔化粒子流減弱,膜便能在基片表面生成。
脈沖激光沉積的優(yōu)點
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1. 易獲得期望化學計量比的多組分薄膜,即具有良好的保成分性;
2. 沉積速率高,試驗周期短,襯底溫度要求低,制備的薄膜均勻;
3. 工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié),對靶材的種類沒有限制;
4. 發(fā)展?jié)摿薮?,具有極大的兼容性;
5. 便于清潔處理,可以制備多種薄膜材料。
脈沖激光沉積選件介紹
激光分子束外延(Laser MBE )
激光MBE 是普遍采用的術(shù)語,該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法,高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射(RHEED)的聯(lián)合應用,用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。
正確的設(shè)計是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)
RHEED 通常在高真空(<10-6 torr)環(huán)境下使用。然而,因為在某些特殊情況下,PLD 采用較高的壓力,差動抽氣是必要的,
維持RHEED 槍的工作壓力,同時保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時,設(shè)計完整的系統(tǒng)消除磁場對電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達到500 mTorr 時所需的單分子層控制。
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