光刻膠工藝

普通的光刻膠在成像過(guò)程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對(duì)比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對(duì)提高圖形分辨率的影響也越來(lái)越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能，F(xiàn)uturrex 的光刻膠正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。光刻膠：用化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行圖像轉(zhuǎn)移的媒介光刻膠具有光化學(xué)敏感性，其經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設(shè)計(jì)好的微細(xì)圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對(duì)入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。

光刻膠市場(chǎng)

據(jù)統(tǒng)計(jì)資料顯示，2017年中國(guó)光刻膠行業(yè)產(chǎn)量達(dá)到7.56萬(wàn)噸，較2016年增加0.29萬(wàn)噸，其中，中國(guó)本土光刻膠產(chǎn)量為4.41萬(wàn)噸，與7.99萬(wàn)噸的需求量差異較大，說(shuō)明我國(guó)供給能力還需提升。

國(guó)內(nèi)企業(yè)的光刻膠產(chǎn)品目前還主要用于PCB領(lǐng)域，代表企業(yè)有晶瑞股份、科華微電子。

在半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域，隨著汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展，會(huì)在一定程度上增加對(duì)G線(xiàn)、I線(xiàn)的需求，利好G線(xiàn)、I線(xiàn)等生產(chǎn)企業(yè)。預(yù)計(jì)G線(xiàn)正膠今后將占據(jù)50%以上市場(chǎng)份額，I線(xiàn)正膠將占據(jù)40%左右的市場(chǎng)份額，DUV等其他光刻膠約占10%市場(chǎng)份額，給予北京科華、蘇州瑞紅等國(guó)內(nèi)公司及美國(guó)futurrex的光刻膠較大市場(chǎng)機(jī)會(huì)。2μm品牌產(chǎn)地型號(hào)厚度耐熱溫度應(yīng)用Futurrex美國(guó)PR1-500A0。

NR9-3000PYNR9 3000P光刻膠公司

二、預(yù)烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻膠中含有溶劑，所以對(duì)于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強(qiáng)光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進(jìn)行的。

底膠涂覆增強(qiáng)光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉(zhuǎn)涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。