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芯片光刻的流程詳解(一)
在集成電路的制造過程中,有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻,正因為有了它,我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能。LCD市場助力全球LCD面板總出貨面積增長,LCD光刻膠需求增加。現(xiàn)代刻劃技術可以追溯到190年以前,1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后,開始試圖復一種刻蝕在油紙上的印痕(圖案),他將油紙放在一塊玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過2、3小時的日曬,透光部分的瀝青明顯變硬,而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過用強酸刻蝕玻璃板,Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的產(chǎn)品。
Niepce的發(fā)明100多年后,即第二次大戰(zhàn)期間才應用于制作印刷電路板,即在塑料板上制作銅線路。在下游產(chǎn)業(yè)的帶動下,江瀚咨詢預計國際光刻膠市場規(guī)模在2022年可能突破100億美元。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管,當時分辨率5um,如今除可見光光刻之外,更出現(xiàn)了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。
PC6-16000
NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢:
- 優(yōu)異的分辨率性能
- 快速地顯影
- 可以通過調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度
- 耐受溫度100℃
- 室溫儲存保質(zhì)期長達3 年
NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm
NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm
NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm
NR9-6000PY 5.0μm -
12.2μm
Resist Thickness
NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm
NR71-1500PY 1.1μm - 3.1μm
NR71-3000PY 2.1μm - 6.3μm
NR71-6000PY 5.0μm - 12.2μm
NR77-25000P,RD8
品牌
產(chǎn)地
型號
厚度
曝光
應用
加工
特性
Futurrex
美國
NR71-1000PY
0.7μm~2.1μm
高溫耐受
用于i線曝光的負膠
LEDOLED、
顯示器、
MEMS、
封裝、
生物芯片等
金屬和介電
質(zhì)上圖案化,
不必使用RIE
加工器件的永
組成
(OLED顯示
器上的間隔
區(qū))凸點、
互連、空中
連接微通道
顯影時形成光刻膠倒
梯形結(jié)構(gòu)
厚度范圍:
0.5~20.0 μm
i、g和h線曝光波長
對生產(chǎn)效率的影響:
金屬和介電質(zhì)圖案化
時省去干法刻蝕加工
不需要雙層膠技術
NR71-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR71-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9-100PY
粘度增強
NR9-1500PY
NR9-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR9-6000PY
NR71G-1000PY
負膠對 g、h線波長的靈敏度
NR71G-1500PY
NR71G-3000PY
NR71G-6000PY
NR9G-100PY
0.7μm~2.1μm
NR9G-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR9G-3000PY
NR9G-6000PY
耐熱溫度
PR1-500A
0.4μm~0.9μm
發(fā)展
Futurrex在開發(fā)產(chǎn)品方面已經(jīng)有很長的歷史
我們的客戶一直在同我們共同合作,創(chuàng)造出了很多強勢的專利產(chǎn)品。
在晶體管(transistor) ,封裝,微機電。顯示器,OLEDs,波導(waveguides) ,VCSELS,
成像,電鍍,納米碳管,微流體,芯片倒裝等方面。我們都已經(jīng)取得一系列的技術突破。
目前Futurrex有數(shù)百個專利技術在美國專利商標局備案。
Futurrex 產(chǎn)品目錄
正性光刻膠
增強粘附性正性光刻膠
負性光刻膠
增強粘附性負性光刻膠
先進工藝負性光刻膠
用于lift-off工藝的負性光刻膠
非光刻涂層
平坦化,保護、粘接涂層
氧化硅旋涂(spin-on glas)
摻雜層旋涂
輔助化學品
邊膠清洗液
顯影液
去膠液
Futurrex所有光刻產(chǎn)品均無需加增粘劑(HMDS)