IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)技術(shù)要求

1、設備概述

該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試。

2、需提供設備操作手冊、維修手冊、零部件清單、基礎圖、設備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機潤滑系統(tǒng)圖、電氣接線用、計算機控制程序軟件及其他必要的技術(shù)文件，設備有通訊模塊必須提供通訊協(xié)議及其他必要的技術(shù)文件，所有資料必須準備（正本、副本）各一份，電子版一份；半導體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設計電路時的依據(jù)，在檢測元件是否有老化的現(xiàn)象時，僅須測量導通參數(shù)及漏電流二項即可。（正本、副本）技術(shù)資料，應至少有一份采用中文，另一份技術(shù)資料可以是英文或中文。

3、系統(tǒng)基本參數(shù)

3.1 電 壓 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；

3.2 加熱功能：室溫～150℃；

3.3 測試功能：可測試IGBT模塊及FRD；

3.4 環(huán)境溫度：25℃±15℃；

3.5 環(huán)境濕度：50% ±20% （相對濕度）

4、動態(tài)測試基本配置

4.1 集電級電壓 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集電極電流 Ic： 50 ~ 1000A 感性負載；

4.3 電流持續(xù)時間 It： 10 ~ 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間； 4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；

4.5 單電流脈沖的設置： Vcc，Ic, 電感值（自動計算脈寬）；

4.6 雙電流脈沖的設置： Vcc, Ic, 電感值，間隙時間（10到50us）(脈寬自動計算)；

（開啟Qrr測試：第二個脈寬＝間隙時間，10~50us）；

4.7 設備寄生電感 Lint: < 65nH（感性動態(tài)測試）。

14）工控機及操作系統(tǒng)

用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?機箱：4Μ 15槽上架式機箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL雙核；

?主板：研華SIMB；

?硬盤：1TB；內(nèi)存4G；

?3個5.25”和1個3.5”外部驅(qū)動器；

?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

?西門子PLC邏輯控制

15）數(shù)據(jù)采集與處理單元

用于數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?電流探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?狀態(tài)監(jiān)測：NI數(shù)據(jù)采集卡

?上位機：基于Labview人機界面

?數(shù)據(jù)提?。簻y試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數(shù)據(jù)格式，特別是動態(tài)測試波形可存儲為數(shù)據(jù)格式；所檢測數(shù)據(jù)可傳遞至上位機處理；從檢測部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機處理后可自動列表顯示相應測試數(shù)據(jù)；?數(shù)據(jù)處理和狀態(tài)檢測部分內(nèi)容可擴展

公司擁有一批長期從事自動控制與應用、計算技術(shù)與應用、微電子技術(shù)、電力電子技術(shù)方面的人才。中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。公司裝備精良，具有先進的檢測手段，產(chǎn)品生產(chǎn)嚴格按照ISO9001∶2008標準質(zhì)量管理體系運行，其品質(zhì)、技術(shù)及工藝方面保持國內(nèi)，部分產(chǎn)品達到國外同類產(chǎn)品的先進水平。 產(chǎn)品廣泛應用于電力、冶金自動化、軌道交通、電力電子新能源開發(fā)等行業(yè)，部分產(chǎn)品出口到歐美等發(fā)達國家。