氦氣質(zhì)譜檢漏的用方法

選用正壓法檢漏時(shí)，需對(duì)被檢產(chǎn)品內(nèi)部密封室充入高于一個(gè)大氣壓力的氦氣，當(dāng)被檢產(chǎn)品外表有漏孔時(shí)，氦氣就會(huì)通孔漏孔進(jìn)入被檢外外表的周圍大氣環(huán)境中，再選用吸槍的方式檢測(cè)被檢產(chǎn)品周圍大氣環(huán)境中的氦氣濃度增量，然后完成被檢產(chǎn)品走漏丈量。依照收集氦氣方式的不同，又能夠?qū)⒄龎悍ǚ譃檎龎何鼧尫ê驼龎豪鄯e法。其間正壓吸槍法選用檢漏儀吸槍對(duì)被檢產(chǎn)品外外表進(jìn)行掃描探查，能夠完成漏孔的準(zhǔn)確定位； 正壓累積法選用有必定密閉功能的氦罩將被檢產(chǎn)品悉數(shù)罩起來，選用檢漏儀吸槍丈量必定時(shí)刻段前后的氦罩內(nèi)氦氣濃度改變量，完成被檢產(chǎn)品總漏率的準(zhǔn)確丈量。特種氣體系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與施工特氣供氣系統(tǒng)大規(guī)模供氣系統(tǒng)主要針對(duì)大規(guī)模量產(chǎn)的8-12英寸（1英寸=25。

特種氣體系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與施工

供氣系統(tǒng)的選擇

簡(jiǎn)單供氣系統(tǒng)

簡(jiǎn)單供氣系統(tǒng)主要針對(duì)4英寸及以下半導(dǎo)體芯片廠、半導(dǎo)體材料的科研機(jī)構(gòu)以及一些單臺(tái)的工藝設(shè)備等。它們的制程簡(jiǎn)單，通常不需要連續(xù)性供氣，對(duì)氣體供應(yīng)系統(tǒng)的投資預(yù)算低。

惰性氣體瓶架則采用全手動(dòng)系統(tǒng)，有些甚至用單瓶系統(tǒng)。所有氣體共用一個(gè)氣體房，甚至沒有氣體房，特氣鋼瓶和輸送系統(tǒng)有時(shí)放在回風(fēng)夾道，或直接放在工藝制造設(shè)備旁邊或隔壁。如果沒有特別危險(xiǎn)氣體一般共用一個(gè)抽風(fēng)系統(tǒng)。簡(jiǎn)單供氣系統(tǒng)通常存在安全隱患。

特種氣體的一般概念  

臨界溫度和臨界壓力。因?yàn)槿魏螝怏w在一點(diǎn)溫度和壓力下都可以液化，溫度越高，液化所需要的壓力也越高，但是當(dāng)溫度超過某一數(shù)值時(shí)，即使在增加多大的壓力也不能液化，這個(gè)溫度叫臨界溫度 ，在這一溫度下zui低的壓力就叫做臨界壓力，例如：水的臨界溫度為374.15℃，臨界壓力為225.65kgf/cm2,氨的臨界溫度為132.4℃，臨界壓力為115.2kgf/cm2。選用真空法檢漏時(shí)，需求使用輔佐真空泵或檢漏儀對(duì)被檢產(chǎn)品內(nèi)部密封室抽真空，選用氦罩或噴吹的辦法在被檢產(chǎn)品外外表施氦氣，當(dāng)被檢產(chǎn)品外表有漏孔時(shí)，氦氣就會(huì)經(jīng)過漏孔進(jìn)入被檢產(chǎn)品內(nèi)部，再進(jìn)入氦質(zhì)譜檢漏儀，然后完成被檢產(chǎn)品走漏量丈量。

特種氣體的主要生產(chǎn)工序

包括氣體合成、氣體純化、氣體混配、氣瓶處理、氣體充裝、氣體分析檢測(cè)。氣體合成是將原料在特定壓力、溫度、催化劑等條件下，通過化學(xué)反應(yīng)得到氣體粗產(chǎn)品。氣體純化是通過精餾、吸附等方式將粗產(chǎn)品精制成更高純度的產(chǎn)品。

氣體混配是將兩種或兩種以上有效組分氣體按照特定比例混合，得到多組分均勻分布的混合氣體。

氣瓶處理是根據(jù)載氣性質(zhì)及需求的不同，對(duì)氣瓶?jī)?nèi)部、內(nèi)壁表面及外觀進(jìn)行處理的過程，以保證氣體存儲(chǔ)、運(yùn)輸過程中產(chǎn)品的穩(wěn)定。氣體充裝是指通過壓力差將氣體充入氣瓶等壓力容器；氣體分析檢測(cè)即為對(duì)氣體的成分進(jìn)行分析、檢測(cè)的過程。