碳化硅理化性質：物質特性。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，僅次于十分硬的金剛石（10級），具有優(yōu)良的導熱性能，是一種半導體。碳化硅至少有70種結晶型態(tài)。α-碳化硅為比較常見的一種同質異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結晶構造（似纖維鋅礦）。碳化硅由于化學性能穩(wěn)定、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，

碳化硅理化性質：碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變?yōu)棣?SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用高質量的石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊，經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。

碳化硅在三大領域的作用？

在半導體領域的應用：碳化硅一維納米材料由于自身的微觀形貌和晶體結構使其具備更多獨特的優(yōu)異性能和更加廣泛的應用前景，被普遍認為有望成為第三代寬帶隙半導體材料的重要組成單元。第三代半導體材料即寬禁帶半導體材料，又稱高溫半導體材料，主要包括碳化硅、氮化、氮化鋁、氧化鋅、金剛石等。

這類材料具有寬的禁帶寬度、高的熱導率、高的擊穿電場、高的抗輻射能力、高的電子飽和速率等特點，適用于高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的制作。第三代半導體材料憑借著其優(yōu)異的特性，未來應用前景十分廣闊。碳化硅可用于單晶硅、多晶硅、鉀、石英晶體等、太陽能光伏產(chǎn)業(yè)、半導體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)工程性加工材料。

碳化硅對鋼的影響？

而碳化硅的脫碳會造成鋼水中碳的含量增加改變鋼的組成，尤其在冶煉純凈鋼、超純凈鋼時，碳化硅的脫碳會對鋼水及鋼材質量產(chǎn)生較大的影響。碳化硅的脫碳機理為：當冶煉進行的一定程度后，鋼與碳化硅之間存在一定的液相隔離層。反應物在碳化硅表面形成一個固相產(chǎn)物層，碳化硅中的組成元素穿過該層擴散到鋼水中。