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ASEMI解析肖特基勢(shì)壘二極管工作原理：

隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。

由于SBD的反向勢(shì)壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管。

SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、DA電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被廣泛采用。

ASEMI肖特基二極管與快恢復(fù)二極管有什么區(qū)別?

這是兩種工藝的芯片技術(shù)，勢(shì)壘工藝肖特基二極管頻率比平面硅片的快恢復(fù)二極管更高，TRR參數(shù)只幾nS,基本忽略，正向?qū)妷旱?，只零點(diǎn)幾伏（低自身功耗），但點(diǎn)壓不高，一般只能做到200V，現(xiàn)在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的參數(shù)需求可以詳詢ASEMI在線客服。

要問(wèn)肖特基二極管與快恢復(fù)二極管的差別，以及為什么采購(gòu)生產(chǎn)等都喜歡使用肖特基二極管的原因，那就是頻率的高低不同，直接影響到應(yīng)用當(dāng)中的能源耗損，像ASEMI的肖特基二極管，其反向恢復(fù)時(shí)間已能縮短到5ns以內(nèi)。但它的反向耐壓值較低，一般不超過(guò)去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、大電流整流（或續(xù)流）電路的效率 。