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ASEMI肖特基二極管參數(shù)的研發(fā)拓展：

ASEMI研制的MBR60100PT  MBR60150PT  MBR60200PT，是專(zhuān)門(mén)為在輸出12V~24V的SMPS中替代高頻整流FRED而設(shè)計(jì)的。像額定電流為2×8A的大電流高頻率型SBD，起始電壓比業(yè)界居先進(jìn)水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值為0.47V)，導(dǎo)通電阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值為40mΩ)，導(dǎo)通損耗低0.18W(典型值為1.14W)。

ASEMI整流肖特基二極管快資訊！

SiC高壓SBD

由于Si和GaAs的勢(shì)壘高度和臨界電場(chǎng)比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場(chǎng)高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導(dǎo)率高為4.9W/(cm·K)，抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng)，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開(kāi)關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。

肖特基二極管屬于低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間可小到幾納秒，正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千安。

　　肖特基二極管與PN結(jié)二極管在構(gòu)造原理上有一定區(qū)別。這種管子的缺點(diǎn)是反向耐壓較低，一般不超過(guò)100V，適宜在低電壓、大電流的條件下工作。液晶彩電DC-DC變換器中的二極管一般采用的就是肖特基二極管。

　　需要說(shuō)明的是，很多肖特基二極管和快恢復(fù)二極管有三只引腳，外形酷似晶體管。其實(shí)，這是一種內(nèi)含兩個(gè)肖特基二極管的復(fù)合二極管，其中一只腳為公共正極，另兩只腳分別為兩只二極管的負(fù)極，可用萬(wàn)用表方便地進(jìn)行判斷，