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同方迪一貼片整流橋堆特點
1、采用玻封GPP工藝芯片,密封性可靠性好,防止電性出現衰降情況
2、采用鐳射激光打標,不易褪色防止翻新;環(huán)氧塑脂塑封穩(wěn)定性好
3、采用無氧銅框架引腳,鍍亮錫防止氧化不上錫、內阻小導電性好
4、采用5層大瓦楞牛皮紙箱,4道禁錮帶保護,耐壓耐磨可重復利用
5、內盒采用防潮塑膜保護,方便倉庫長期存貯,上機易上錫易焊接
同方迪一整流橋,有品質的整流橋
同方迪一整流橋的品質深受客戶采購人員的青睞。同方迪一整流橋系列使用原裝波峰GPP大芯片,品質優(yōu),一顆芯片穩(wěn)定,免去劣質芯片導致炸橋的困擾。
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同方迪一分享整流橋的主要參數
整流橋的本質是二極管,所以整流橋的主要參數與二極管類似。
①反向峰值電壓(VRRM):整流橋能承受的反向電壓*大值,超過此值,整流橋擊穿。示例中GBJ2510反向峰值電壓為1000V。
②平均整流電流(Io):整流橋長期工作時所能承受的流過的*大電流,超過這個值整流橋熱擊穿。示例中全系列整流橋的平均整流電流在帶散熱片的條件下為25A,不帶散熱片的條件下為4A。
③正向峰值浪涌電流(IFSM):整流橋能扛住的瞬間電流沖擊*大值,超過此值,整流橋損壞。示例中全系列整流橋能在半個周期內扛住的*大沖擊電流為320A。
同方迪一介紹整流橋選型計算實例
整流橋選型主要參考反向峰值電壓和平均整流電流這兩個參數,并且留有余量。具體如下:
整流橋的反向擊穿電壓應滿足:≥1.5√2×Vin(max);
整流橋的平均整流電流應滿足:≥5×P/Vin(min);
舉例:設計一款交流輸入電壓范圍為:90~265Vac,功率為30W的開關電源,整流橋選型應滿足以下:
VRRM≥1.5√2×Vin(max)=1.5√2×265=750V
Io≥5×P/Vin(min)=5×30/90=1.67A
注:對于工作頻率較高開關電源整流電路,要選擇反向恢復時間短一點整流橋,根據經驗公式:選擇快速恢復整流二極管時候,反向恢復時間應該大于開關管上升時間的三分之一。