凈化工程

潔凈室之作用在于控制產(chǎn)品(如硅芯片等)所接觸之大氣的潔凈度日及溫濕度，使產(chǎn)品能在一個(gè)良好之環(huán)境空間中生產(chǎn)、制造，此空間我們稱之為潔凈室。按照國(guó)際慣例，無(wú)塵凈化級(jí)別主要是根據(jù)每立方米空氣中粒子直徑大于劃分標(biāo)準(zhǔn)的粒子數(shù)量來(lái)規(guī)定。所以，送風(fēng)口以后的流線彼此有很大或者越來(lái)越大的夾角，曲率半徑很小，氣流在室內(nèi)不可能以單一方向流動(dòng)，將會(huì)彼此撞擊，將有回流、旋渦產(chǎn)生。也就是說(shuō)所謂無(wú)塵并非沒(méi)有一點(diǎn)灰塵，而是控制在一個(gè)非常微量的單位上。當(dāng)然這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)中符合灰塵標(biāo)準(zhǔn)的顆粒相對(duì)于我們常見(jiàn)的灰塵已經(jīng)是小的微乎其微，但是對(duì)于光學(xué)構(gòu)造而言，哪怕是一點(diǎn)點(diǎn)的灰塵都會(huì)產(chǎn)生非常大的fu面影響，所以在光學(xué)構(gòu)造產(chǎn)品的生產(chǎn)上，無(wú)塵是必然的要求。

凈化工程靜電問(wèn)題

靜電放電引起的危險(xiǎn)的災(zāi)害是成為可燃物的火源井引起炸，例如國(guó)外文獻(xiàn)統(tǒng)計(jì)，在手術(shù)室使用炸性ma醉劑的86000次中，炸的36次，其中由靜電引起的達(dá)21次；

靜電事故的產(chǎn)生主要在于靜電的產(chǎn)生和積累，而氣流的流動(dòng)，氣流和管道、風(fēng)口、過(guò)濾器等摩擦，人體和衣服的摩擦，衣服之間的摩擦，工藝上的研磨，噴涂、射流、洗滌、攪拌、粘合和剝離等操作，所有選些都可能產(chǎn)生靜電，在一般情況下，越是電導(dǎo)率小的非導(dǎo)體（絕緣體），由于電荷產(chǎn)生后不易流動(dòng)，因此表現(xiàn)為越容易帶電。無(wú)菌器械是任何標(biāo)明“無(wú)菌”的器械，生產(chǎn)潔凈室是保證無(wú)菌器械質(zhì)量的基本條件，控制無(wú)菌器械生產(chǎn)過(guò)程的環(huán)境并規(guī)范其生產(chǎn)，防止環(huán)境對(duì)無(wú)菌器械污染，潔凈室必須滿足規(guī)定環(huán)境參數(shù)的要求來(lái)建設(shè)和定期監(jiān)測(cè)。

凈化工程——無(wú)塵車間

所謂的無(wú)塵車間是一個(gè)人造的環(huán)境，里面含有的粒子遠(yuǎn)低于一般的環(huán)境，隨著集成電路技術(shù)的快速成長(zhǎng)，也增加了對(duì)制造環(huán)境(無(wú)塵車間)潔靜度的需求，在工業(yè)上即使粒子之尺寸小于1微米，也可能阻礙產(chǎn)品的運(yùn)作或降低其壽命。 由于奈米技術(shù)的興起，造成半導(dǎo)體關(guān)鍵尺寸持續(xù)縮小，集成電路積集度不斷的增加，塵粒更容易使芯片失效或可靠度惡化。凈化車間工程在設(shè)計(jì)中，每一個(gè)設(shè)備都考慮一定地位，包括設(shè)備本身所占地位，操作地位，設(shè)備地位，設(shè)備檢修拆裝地位以及設(shè)備與設(shè)備、設(shè)備與建筑物的安全距離。例如當(dāng)金屬塵粒地落到金屬導(dǎo)線時(shí)，就可能會(huì)使金屬導(dǎo)線形成短路。又如果有酸性的離子化合物塵粒掉在金屬導(dǎo)線上，可能將其腐蝕，所以無(wú)塵車間為集成電路制造不可或缺的要素。