四氟化碳是一種造成溫室效應的氣體。它非常穩(wěn)定，可以長時間停留在大氣層中，是一種非常強大的溫室氣體。因為四氟化碳和四氟化1硅都是共價化合物，然而碳氟鍵的鍵能遠遠大于硅氟鍵的鍵能，鍵長也是前者短得多，所以四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。將其通過裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟化1硅，隨后通過硅膠和五1氧化二磷干燥塔得到終產品。由于化學穩(wěn)定性極強，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。

四氟化碳的密度比較高，可以填滿地面空間范圍，在不通風的地方會導致窒息。四氟化碳成品應存放在陰涼，干燥，通風的庫房內，嚴禁曝曬，遠離熱源。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。

對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。產品經除塵，堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質、再經脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進行間歇粗餾，通過控制精餾溫度，除去O2、N2、H2，得到高純CF4。因為四氟化碳和四氟化1硅都是共價化合物，然而碳氟鍵的鍵能遠遠大于硅氟鍵的鍵能，鍵長也是前者短得多，所以四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。