四氟化碳物理性質(zhì) :

   熔點-183.6℃，

   分子式是CF4,

　　沸點-128.1℃，

　　液體密度(-130℃)1.613g/cm3，

　　液體折光率(-173℃)1.515，

　　固體轉(zhuǎn)變點72.2K，

　　臨界溫度-45.67℃，

　　臨界壓力3.73MPa，

   蒸氣壓（-150.7℃）13.33kPa

  介電常數(shù)（25℃，0.5MPa）1.0006

　　臨界密度：7.1dm3/mol

　　標準摩爾自由能：-929.84 kJ/mol

　　標準摩爾生成自由能：-887.41 kJ/mol

   危險性類別：第2.2類不燃氣體

產(chǎn)品經(jīng)除塵，堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進行間歇粗餾，通過控制精餾溫度，除去O2、N2、H2，得到高純CF4。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強，因此分離的可能性比較低。四氟化碳，又稱為四氟甲1烷、Freon-14及R 14，是一種鹵代烴(化學式:CF4)。它既可以被視為一種鹵代烴、鹵代甲1烷、全氟化碳，也可以被視為一種無機化合物。

它在大氣中的壽命約為50,000年，全球增溫(全球暖化)系數(shù)是6,500(二氧化碳的系數(shù)是1)。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似，但四氟化碳不會破壞臭氧層。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中，向反應管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應。