磁控濺射鍍膜設(shè)備及技術(shù)

（專利技術(shù)）該設(shè)備選用磁控濺射鍍一層薄薄的膜（MSP）技術(shù)性，是這種智能、率的鍍膜設(shè)備。采用以上三種技術(shù)方案，在濺射沉積光學(xué)膜時，都會存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導(dǎo)致膜層沉積速度非常慢，對于上節(jié)介紹各種光學(xué)膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達數(shù)百納米?？梢罁?jù)客戶規(guī)定配備轉(zhuǎn)動磁控靶、單脈沖濺射靶、中頻孿生濺射靶、非均衡磁控濺射靶、霍耳等離子技術(shù)源、考夫曼離子源、直流電單脈沖累加式偏壓開關(guān)電源等，組態(tài)靈便、主要用途普遍，主要用于金屬材料或非金屬材料（塑膠、夾層玻璃、瓷器等）的鋼件鍍鋁、銅、鉻、鈦金板、銀及不銹鋼板等陶瓷膜或式陶瓷膜及滲金屬材料DLC膜，所鍍一層薄薄的膜層勻稱、高密度、粘合力強等特性，可普遍用以電器產(chǎn)品、時鐘、陶瓷藝術(shù)品、小玩具、大燈反光罩及其儀表設(shè)備等表層裝飾藝術(shù)鍍一層薄薄的膜及工磨具的作用鍍層。2離子轟擊滲擴技術(shù)性的特性(1)離子轟擊滲擴更快因為選用低溫等離子無心插柳，為滲劑分子和正離子的吸咐和滲人造就了高寬比活性的表層，提升了結(jié)晶中缺點的相對密度，比傳統(tǒng)式的汽體滲擴技術(shù)性速率明顯增強。在一樣加工工藝標準下，滲層深度1在0.05二以內(nèi)，比汽體滲擴提升1倍。在較高溫度下，1h就能達lmm厚。(2)對鋼件表層改..

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直流磁控濺射技術(shù)

為了解決陰極濺射的缺陷，人們在20世紀開發(fā)出了直流磁控濺射技術(shù)，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點，因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。創(chuàng)世威納擁有先進的技術(shù)，我們都以質(zhì)量為本，信譽高，我們竭誠歡迎廣大的顧客來公司洽談業(yè)務(wù)。同時，經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場會使靶材產(chǎn)生顯著的不均勻刻蝕，導(dǎo)致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。

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磁控濺射鍍膜機工藝

關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化

關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化基于實驗探索。實驗是在自制的雙室直流磁控濺射鍍膜設(shè)備上進行的。該設(shè)備的鍍膜室采用內(nèi)腔尺寸為6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形狀,抽氣系統(tǒng)采用兩套K600 擴散泵機組,靶材采用德國Leybold 公司生產(chǎn)的陶瓷靶,ITO 薄膜基底是尺寸為1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。本機主要特點配用改進型高真空排氣系統(tǒng)，抽速快、效率高、節(jié)電、降噪和延長泵使用壽命。

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磁控濺射

（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

（2）裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機外殼，鼠標等。

（3） 在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（CVD）或金屬有機

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